Silica Hybrid Containing (R)-2,2′-Binaphtho-20-crown-6 Moieties via the Sol-Gel Process

IntroductionThesol gelprocessconstitutesoneofthemostimpor tantrouteforthepreparationofinorganicamorphoussolids.1,2 Themildreactionconditionsofthesol gelap proachallowadeliberatetailoringofhybridorganic inor ganicmaterialsbyhydrolysisandpolycondensationofmolecularprecursorsfunctionalizedbyhydrolysabletri ethoxysilanegroups .3Suchsilicahybridmaterialsconsist ingofcovalentlylinkedorganicandinorganiccomponentsarewelldefinedatthemolecularlevel.Theyhavereceivedconsiderableattentionindifferentresearc…     

沉积铁钝化膜的傅立叶变换表面增强拉曼光谱

利用恒电流沉积技术、傅立叶变换表面增强拉曼散射技术现场研究了0 1mol/LNaOH溶液中铁金属电极在不同电位下的表面氧化物的组成。结果表明,在电极预钝化区,表面首先生成的Fe(OH)2可由拉曼谱图中出现的550cm-1表征,证实了以往的研究结果。进入钝化区,表面二价氧化物逐步转化为高价氧化物Fe3O4及α 、δ 和γ FeOOH。在电位回扫的过程中,各氧化产物的还原以及铁表面SERS活性的逐渐消失导致谱峰强度降低。     

异方差回归中的广义方差比检验

在同方差假设之下,线性模型在回归分析的理论与应用方面起着突出的作用,很受许多研究工作者的青睐.然而,回归模型中同方差性这一标准假设不一定总是成立的.因此我们考虑了用一类基于似残差的方法来检验异方差情形下线性模型拟合观测数据的情况.本文既给出了大量的模拟,又给出了实际数据作为应用的例子.效果都很好.     

C2（a 3Πu）+NO 的反应机理研究

在G2 (CC ,MP2 )理论水平上研究了C2 (a3 Πu)自由基与NO分子的反应 .计算了反应体系最低二重态势能面上各驻点的构型参数、振动频率和能量 ,揭示了此反应存在两种反应机理 :由NO中的O原子进攻C2 自由基形成CCON中间体的CCON机理和NO中的N进攻C2 自由基形成CCNO中间体的CCNO机理 ,分析了对应与这两种反应机理的五个可能的反应通道 ,得出了由NO中的N原子进攻3 C2 自由基 ,生成中间体CCNO自由基 ,最终得到产物CN +CO的通道是最有利的通道 .     

LOCAL SPECTRA OF UNILATERAL OPERATOR WEIGHTED SHIFTS

In this note, the local spectral properties of unilateral operator weighted shifts arestudied.     

PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究

用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.     

P(α,α′)πN反应中N(1440)激发的蒙特卡罗研究

在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N^*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N^*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N^*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV²附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N^*(1440)的产生.     

热传导型半导体瞬态问题特征变网格有限元法及其分析

热传导型半导体器件的瞬时状态由四个方程的非线性偏微分方程组的初边值问题所决定，其中电子位势方程是椭圆型的，电子和空穴浓度方程是对流扩散型的，温度方程为热传导型的。本文提出解这类问题的特征变网格有限元法，并进行了理论分析，在一定条件下，得到了某种意义下的最佳L^2误差估计结果。     

sl玻色子体系在U(2l+1)O(2l+2)过渡区的严格解

利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U( 2l+ 1 ) O( 2l+ 2 )过渡区的能谱和波函数的严格解 .给出了该系统Bethe假定方程的数值解法 .     

Slutsky定理在样本分位数的极限分布证明上的应用

为了更好地理解和应用样本分位数的极限分布,利用Slutsky定理,推导了样本分位数的极限分布.