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71.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
72.
73.
乌骨鸡活性肽对体外非酶糖基化的抑制作用 总被引:3,自引:1,他引:2
采用正交实验优化了体外非酶糖基化反应体系,体系中加入不同浓度的乌骨鸡活性肽I、Ⅱ37 ℃孵育,同时以肌肽为阳性对照,观察乌骨鸡活性肽对非酶糖基化反应的影响.通过测定预定时间体外非酶糖基化体系的吸光度和荧光值计算乌骨鸡活性肽对非酶糖基化反应的抑制率和对非酶糖基化终产物生成的抑制率.结果表明乌骨鸡活性肽Ⅱ对体外非酶糖基化反应和非酶糖基化终产物的生成均具有较强的抑制作用. 相似文献
74.
正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站,基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应12C(α,γ)16O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应12C(α,γ)16O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正. 相似文献
75.
76.
77.
痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。 相似文献
78.
A highly stereoselective synthesis of the side Chain enantiomers of brassinolide and dolicholide through an aldol reaction of 2-(4-methoxy benzyloxyl) proplonylaldehyde (5) with the anion of 1- ( tert -butyldimethylsiloxy )-3-methyl-2-butanone ( 6 ) is described. 相似文献
79.
氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析 总被引:1,自引:1,他引:0
许正 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):297-297
氧碘化学激光器(COIL)的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段,而改进O2(^1△g)的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期,美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2(^1△g)。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应,生成O2(^1△g)。通常气一固相反应有着反应速度慢,接触面积小,反应产物难以脱出固体表面的缺陷,使得产出率低,而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进,借助表面活化分子,特殊性质的表面构造,大表面的构造,都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上,将克服传统方法的诸多不足。 相似文献
80.
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献