火焰原子吸收分析中表面活性剂的增感和抑制干扰作用的机理研究

证实和补充了文献［１］建立的ＦＡＡＳ分析中表面活性剂的增感机理模型，并对ＦＡＡＳ分析中表面活性剂抑制共存元素干扰的作用和机理作了探讨。表面活性剂能抑制共存元素干扰的主要原因是其胶团能和被测元素的离子或干扰离子形成胶团化物；表面活性剂在火焰中中的不完全燃烧使火焰气体还原性增强，温度升高也是其抑制干扰的因素之一。     

表面弛豫效应对界面区域CBED的影响

对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决CBED法测量界面应变场时遇到的表面弛豫效应问题是有意义的。     

二硫化钼表面氧化行为的研究（Ⅱ）─—二硫化钼摩擦表面氧化与电子转移的研究

利用电子自旋共振谱和Ｘ射线光电子能谱研究了二硫化钼ＭｏＳ＿２摩擦表面的氧化和电子转移，发现ＭｏＳ＿２在摩擦过程中是以Ｍｏ￣（４＋）经由Ｍｏ￣（５＋）过渡态继而与氧作用生成稳定的Ｍｏ￣（６＋），并且是以ＭｏＯ＿３的形式存在，证明ＭｏＳ＿２的摩擦表面除有一般认为的Ｍｏ￣（４＋）和Ｍｏ￣（６＋）这两种化学状态以外，还有Ｍｏ￣（５＋）自由基离子这种从未发现的的中间态。Ｍｏ￣（５＋）是４ｄ￣１电子构型，其在室温下于空气或氧气中是稳定的，然而在摩擦环境或添加剂的作用下，Ｍｏ￣（５＋）所含不成对电子很容易发生转移而生成Ｍｏ￣（６＋），这种研究结果更加深入地揭示了ＭｏＳ＿２摩擦表面氧化过程的复杂性，因此，应当从摩擦化学角度重新认识ＭｏＳ＿２摩擦氧化产物及其形成机制，这于研究摩擦环境和添加剂对润滑剂的抗氧化协同效应具有重要意义。     

Mechanism for Influence of Nose Bluntness on Asymmetric Vortices

Pressure distributions on slender bodies are measured at various roll angles; it is found that the side loads on the blunted-nose slender body are as small as one-third of that on a pointed-nose one, or even zero at some roll angles. Numerical simulation shows that different flow structures are generated on the leeside of the bodies with different noses. The results confirm that a structure of U-shaped horseshoe vortex develops on the top of the blunted nose due to the closed type of surface flow separation. The shear layer separated from the nose is entrapped into the horseshoe vortex core and forms two mainof this structure is to hold in the two main nose vortices andvortices on the two sides of the body. The function to restrict the emergence of asymmetry.     

2π干涉学分析的源空间参数

本文通过直接比较相应于不同密度分布源的关联函数,指出源的平均半径是2π干涉学分析中描述源空间线度的好物理量.比较不同关联函数分析获得的源空间参量时,选取源的平均半径为判别标准不仅优于Bartke和Kowalski提出的均方根半径,也优于Goldhaber等人提出的GGLP因子.对不同碰撞实验的2π干涉学结果的系统分析表明,使用我们提出的比较标准给出的结果更加合理.     

金刚石膜的厚度及背表面过渡层对热导率的影响

 采用微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）方法制备金刚石膜，研究了金刚石膜的厚度以及生长初期的SiC过渡层对其热导率的影响，给出了膜厚和背表面SiC过渡层减薄厚度与金刚石膜热导率的关系。     

电子关联与硼原子四个共壳P态的定性特征

研究了硼的²Ｐ⁰₁（基态），²Ｐ⁰₂，²Ｐ^e₁和⁴Ｐ^e₁４个Ｎ＝２共壳Ｐ态结构的定性特征，表明了电子关联对自旋极性的依赖，显示了各量子态对取向（相对于总角动量Ｌ）的偏爱，研究了它们的几何结构和内部运动模式，侧重探讨了量子力学对称性对微观系统的决定性效应。 关键词：     

Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively.