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191.
矩阵方程AXAT=C的对称斜反对称解 总被引:1,自引:0,他引:1
设A∈Rm×n,C∈Rm×m给定,利用矩阵的广义奇异值分解和对称斜反对称矩阵的性质,得到了矩阵方程(1)AXAT=C存在对称斜反对称解的充要条件和通解表达式;证明了若方程(1)有解,则一定存在唯一极小范数解,并给出了极小范数解的具体表达式和求解步骤. 相似文献
192.
本文采用XRD和SEM技术分析了具有不同临界电流密度(Jc)的Bi系多芯超导带材.结果表明,样品中Bi-2223晶粒高度取向排列,其取向因子F值在0.947~0.977范围内.SEM分析结果发现,高Jc样品中在平行于带材平面的片状的Bi-2223晶粒的晶界处残留的杂质主要为CuO晶粒,它与Bi-2223晶体结合紧密.在低Jc 的样品中,Bi-2223晶片边界存在的杂质颗粒尺寸较大,其成分为(Sr,Ca)CuO和CuO的混合体.样品的横断面和纵断面的SEM观察发现,在高性能的样品中,芯丝烧结体的致密度较高.枝条状Bi-2223晶体穿过银层,在芯丝之间形成了很强的连接体.本文讨论了临界电流密度与微观组织的关系. 相似文献
193.
图G称为k-临界h-边-连通的,若h=λ(G)且对每个k顶点集{u1,…,uk}有λ(G-{u1,…,ui})≤λ(G-{u1,…,ui-1})-1,I≤k.若G是k-临界h-边-连通但不(k 1)-临界h-边-连通,则记之为(h*,k*)λ.本文证明了:存在(h*,k*)λ图的充要条件是(1)1≤k≤[(h 1)/2],h≡0,1,2(mod 4);1≤k≤[(h-1)/2],h≡3(mod 4);或(2)k=h,G=Kk 1. 相似文献
194.
本文研究了30K温区和工频下81芯Bi2223/Ag带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗,临界电流是用SQUID磁化法和标准四引法测量;交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量,结果发现交流损耗随背场的增加而增大,同时与频率的关系是非线性的,并且偏离基于Bean模型所预言的结果;表明30K温区多芯带材Ag基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。 相似文献
195.
196.
认为尽管职业经理人的能力可能更强,但只有当企业规模大于临界规模时,企业才会选择聘用职业经理人.运用实物期权的方法,分析得到了企业聘用职业经理人的最优规模(时机),并基于此建立了最优分成制委托代理模型.分析结果表明,在企业考虑实物期权价值的情况下,增大了聘用职业经理人的临界规模,降低了最优分成比例,提高了代理人的努力水平.结果进一步显示,随着市场不确定性的增大,企业聘用职业经理人的临界规模增大,代理人的努力水平降低,最有分成比例增大. 相似文献
197.
LetΩR~N be a smooth bounded domain such that 0∈Ω,N≥5,2~*:=(2N)/(N-4) is the critical Sobolev exponent,and f(x) is a given function.By using the variational methods, the paper proves the existence of solutions for the singular critical in the homogeneous problemΔ~u-μu/(|x|~4)=|u|~(2~*-2)u f(x) with Dirichlet boundary condition on Ωunder some assumptions on f(x) andμ. 相似文献
198.
用国产Bi2223/Ag带(西北有色金属研究院提供)设计的中心场3.0T.贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中.磁体由绕组内径150mm.外径272mm的32个双饼磁体组成.磁体在温度T=20K下.设计临界电流Ic=132A.额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验,得到磁体Ic=140A,中心场Bcc=1.14T,相应Bi2223/Ag带上最大轴向场Brmax=1.91T.Bi2223/Ag带上最大垂直场Brmax=1.14T.四双饼组合磁体的实验结果预示:35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到. 相似文献
199.
200.
汤建良 《数学的实践与认识》2007,37(17):78-82
P3P问题是计算机视觉和摄影测量学领域的一个经典问题.运用基于求解非线性代数方程系统的吴特征列elimination方法,在计算机符号计算系统Maple 9上实现了透视3点问题临界构造解的求解,编制了一个小型实用的程序.运用Maple 9实现的模拟试验结果说明了我们的算法是稳定的. 相似文献