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71.
72.
张德恒  D.E.Brode 《物理学报》1995,44(8):1321-1327
用射频溅射方法在较高氧压下沉积的多晶的ZnO薄膜,其光响应主要由两部分组成:第一部分来源于膜内晶粒界面所吸附氧原子的光脱附,该部分光响应可使膜的电导率增加两个数量级且响应速度较快;第二部分来源于薄膜表面所吸附氧原子的光脱附,此光响应可使膜的电导率增加4一5个数量级,但响应速度非常缓慢.两部分光响应都来自薄膜的结构变化,膜的结构变化与膜所处环境中气体的种类,压强以及膜的温度有关. 关键词:  相似文献   
73.
We investigate the lightly doped polycrystalline Sr1-χLaχRuO3 (χ = 0, 0.02, 0.08 and 0.10). With La doping, the ferromagnetism in the system has been suppressed. The transition temperature is T'c at which the long-range ferromagnetism establishes and the magnetization under 3 T at 5 K decreases with increasing χ. In contrast to Sr1-χCaχRuO3, the samples remain with the PM-FM transition at 162K, which might be attributed to the valency change of Ru.  相似文献   
74.
连续过渡型多晶物相深度分布的X射线衍射测试方法   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
骆建  殷宏  陶琨 《物理学报》1995,44(11):1788-1792
提出了以X射线衍射测量连续过渡型多晶物相深度分布的方案.该方案在入射角大于全反射角的常规条件下,实现了严格的真实尺度下的物相定量深度分布测量.以计算谱对方法及程序的正确性进行了验证,并用实际样品对方法的可行性进行了验证. 关键词:  相似文献   
75.
76.
利用X射线及热分析技术研究了聚醚酮酮(PEKK)的溶剂诱导结晶及从玻璃态结晶和从熔融态结晶的行为。发现PEKK有两种晶型结构(Ⅰ和Ⅱ),晶型Ⅱ的形成与热历史和溶剂诱导有关,其熔点始终低于Ⅰ型10℃左右。PEKK的低温熔融峰与其分子链极化有关,而与热历史无关,此低温熔融峰热焓占总热焓2%~10%,其平衡熔点为409℃。  相似文献   
77.
ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
申三国  贾瑜  马丙现  范希庆 《物理学报》1998,47(11):1879-1884
用总能量最小方法,确定了ZnS(110)表面的原子几何结构,得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果.利用格林函数的散射理论方法,计算了题ZnS(110)表面的电子结构,与第一性原理的计算结果进行了比较.讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响. 关键词:  相似文献   
78.
研究了7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸与铟的显色反应及分析应用,在曲拉通X-100存在下,于pH4.5的NaOAc-HOAc缓冲介质中,铟与显色剂形成组成比为1:3的黄色配合物,最大吸收波长为440nm,表观摩尔吸光系数为3.86×10~4,同时在550nm呈现负峰,用双峰双波长法测定铟,ε=7.33×10~4,线性范围为0~0.6mg·L~(-1),方法用于硫化锌基颜料中铟的测定,结果满意.  相似文献   
79.
多晶铝试件在单向拉伸实验中,试件表面的应变分布并不均匀.采用扫描电子显微镜观察试件在拉伸过程中的晶粒形貌变化,并在加载过程中跟踪晶粒拍摄了一系列照片,通过数字散斑技术,对所拍照片进行分析,得到了高精度的晶粒名义应力-应变关系曲线.  相似文献   
80.
王斌  张鹤鸣  胡辉勇  张玉明  宋建军  周春宇  李妤晨 《物理学报》2013,62(21):218502-218502
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考. 关键词: 异质多晶SiGe栅 应变Si NMOSFET 表面势 沟道电流  相似文献   
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