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We investigate the lightly doped polycrystalline Sr1-χLaχRuO3 (χ = 0, 0.02, 0.08 and 0.10). With La doping, the ferromagnetism in the system has been suppressed. The transition temperature is T'c at which the long-range ferromagnetism establishes and the magnetization under 3 T at 5 K decreases with increasing χ. In contrast to Sr1-χCaχRuO3, the samples remain with the PM-FM transition at 162K, which might be attributed to the valency change of Ru. 相似文献
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利用X射线及热分析技术研究了聚醚酮酮(PEKK)的溶剂诱导结晶及从玻璃态结晶和从熔融态结晶的行为。发现PEKK有两种晶型结构(Ⅰ和Ⅱ),晶型Ⅱ的形成与热历史和溶剂诱导有关,其熔点始终低于Ⅰ型10℃左右。PEKK的低温熔融峰与其分子链极化有关,而与热历史无关,此低温熔融峰热焓占总热焓2%~10%,其平衡熔点为409℃。 相似文献
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7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸显色双波长吸光光度法测定硫化锌基颜料中微量铟的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸与铟的显色反应及分析应用,在曲拉通X-100存在下,于pH4.5的NaOAc-HOAc缓冲介质中,铟与显色剂形成组成比为1:3的黄色配合物,最大吸收波长为440nm,表观摩尔吸光系数为3.86×10~4,同时在550nm呈现负峰,用双峰双波长法测定铟,ε=7.33×10~4,线性范围为0~0.6mg·L~(-1),方法用于硫化锌基颜料中铟的测定,结果满意. 相似文献
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多晶铝试件在单向拉伸实验中,试件表面的应变分布并不均匀.采用扫描电子显微镜观察试件在拉伸过程中的晶粒形貌变化,并在加载过程中跟踪晶粒拍摄了一系列照片,通过数字散斑技术,对所拍照片进行分析,得到了高精度的晶粒名义应力-应变关系曲线. 相似文献
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结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.
关键词:
异质多晶SiGe栅
应变Si NMOSFET
表面势
沟道电流 相似文献