近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大. 关键词： 近距离升华 CdTe薄膜 掺杂Cd 电学和光学特性     

霜层表面部分冰晶升华的实验观测

本文通过显微摄像的手段研究霜层表面冰晶形态演化.霜层充分发展后,部分柱状冰晶在周围冰晶正常生长的同时发生升华,并且升华过程从温度较低的根部开始.对于不同的结霜条件,柱状冰晶的升华过程可能以颈部熔断或者顶部融化两种不同方式结束.霜层表面存在复杂的温度和蒸汽浓度分布,局部出现负值的过饱和度是产生这种反常升华现象的主要原因.     

横向管间距对涡强化扁管管片局部传热的影响

应用萘升华传质/传热比拟技术研究了横向管间距对涡强化扁管管片局部传热的影响.通过对不同位置的横向实验数据进行比较,反映了在纵向放置不同旋转方向的涡产生器情况下,不同横向管间距(S1/S2=0.582、0.727、0.969)的局部传热特性.     

CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩气和氧气混合气氛下,近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜。薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于获得结构致密具有良好光电性质的CdTe薄膜。分析了近空问沉积的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系。结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe。此外,还有CdS和SnO2：F衍射峰。CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。采用衬底温度500℃,源温度620℃,在120℃的温差下,沉积时间4min上制备CdTe多晶薄膜,获得转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的集成电池。     

钇(Ⅲ)的二特戊酰基甲烷螯合物的合成、表征及热稳定性和升华性能研究

合成了钇（Ⅲ）的二特戊酰基甲烷螯合物（简称Ｙ（ＤＰＭ）３），并以红外光谱、核磁共振谱及Ｘ射线物相分析进行了表征和鉴定。研究了这种β二酮类螯合物的升华性能。结果表明，其升华速率与温度呈指数关系，与载气流量呈线性关系；通过测定蒸气压与温度之间的关系，求得１３０℃１６４℃温度范围内的升华焓和升华熵，分别为１３５ｋＪ·ｍｏｌ－１和２６５Ｊ·ｍｏｌ－１·Ｋ－１。实验研究表明，该螯合物具有良好的挥发性和热稳定性，适用于气相色谱研究和制备薄膜的金属有机化合物源。     

SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.     

利用SnO2:Sb干凝胶部分升华产物处理ZnS:Mn荧光粉

以SnCl2•2H2O、SbCl3为原料, 通过溶胶-凝胶法制备SnO2:Sb干凝胶. 利用干凝胶氧化过程中的部分升华产物对新制的ZnS:Mn荧光粉进行了表面处理. 在固定氧气流量和氧化时间的条件下, 考察了SnO2:Sb干凝胶与ZnS:Mn荧光粉的质量比和氧化温度对处理后荧光粉电阻率的影响. 当干凝胶粉与荧光粉的质量比为3.0, 氧化温度为500 ℃处理后荧光粉的电阻率明显下降. 对处理后的荧光粉进行了室温光致荧光(PL)光谱、X射线衍射(XRD)以及透射电镜(TEM)分析. 结果表明对荧光粉进行表面处理没有改变荧光粉的光致发光性质和晶体结构.     

冷冻升华制备的超高分子量聚乙烯寡链、多链晶体的凝聚态

在10^-3～10^-5g/mL浓度范围内,用冷冻升华法制备了超高分子量聚乙烯(UHPE)单链、寡链、多链的折叠链晶聚集体.长达几万纳米的UHPE分子链可以以不同的片晶参与结晶,或自身形成数个晶粒,即形成单链多晶.DSC研究结果表明,随着溶液浓度的降低,冷冻升华样品的熔点和结晶度均降低.由熔点估算了晶粒的体积和晶粒中包含的链数,它们亦随溶液浓度降低而降低.冷冻升华得到的小晶粒中链的缠结少,晶体具有较高的完善性.用WAXD测试晶粒的(110)和(200)面的法向尺寸,由此计算晶粒的平均体积,与熔点计算得到的数值一致.     

6H-SiC晶片的退火处理

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.