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11.
12.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
13.
Microwave-induced organic reaction enhancement (‘MORE’) chemistry technique (open vessel; controlled microwave energy to stay below the boiling point of the reaction mixture) was used for the N-formylation of aliphatic and aromatic amines and amino heterocycles with aq formic acid (80%) on a multiple gram scale in a few minutes. 相似文献
14.
托卡马克工程试验混合堆等离子体性能的等值线图分析 总被引:3,自引:3,他引:0
盛光昭 《核聚变与等离子体物理》1989,9(1):29-36
本文简要叙述托卡马克工程试验混合堆等离子体概念设计的物理基础,对等离子体性能进行了等值线图(Plasma Operation Contour)分析。根据工程试验混合堆的要求,得出一组等离子体参数。 相似文献
15.
16.
S. Meenakshi B.K. Godwal I. Orgzall S. Tkachev 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2006,67(8):1660-1667
We report the results of an X-ray diffraction study of CdAl2Se4 and of Raman studies of HgAl2Se4 and ZnAl2Se4 at room temperature, and of CdAl2S4 and CdAl2Se4 at 80 K at high pressure. The ambient pressure phase of CdAl2Se4 is stable up to a pressure of 9.1 GPa above which a phase transition to a disordered rock salt phase is observed. A fit of the volume pressure data to a Birch-Murnaghan type equation of state yields a bulk modulus of 52.1 GPa. The relative volume change at the phase transition at ∼9 GPa is about 10%. The analysis of the Raman data of HgAl2Se4 and ZnAl2Se4 reveals a general trend observed for different defect chalcopyrite materials. The line widths of the Raman peaks change at intermediate pressures between 4 and 6 GPa as an indication of the pressure induced two stage order-disorder transition observed in these materials. In addition, we include results of a low temperature Raman study of CdAl2S4 and CdAl2Se4, which shows a very weak temperature dependence of the Raman-active phonon modes. 相似文献
17.
The molding processes of polymer melts involve geometrically complex dies. Such dies are usually tapered or streamlined to achieve a maximum output rate under conditions of laminar flow. The model of a generalized second-grade fluid of power-law type is used and the results obtained are illustrated by examples of convergent flows in conical and wedge-shaped dies. 相似文献
18.
19.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
20.