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41.
Yasumitsu Matsuo Takehiko Ijichi Hironori Yamada Junko Hatori Seiichiro Ikehata 《Central European Journal of Physics》2004,2(2):357-366
We have fabricated a field effect transistor (FET) based on an organic ferroelectric insulator and molecular conductor, and
investigated the electrical properties and memory effects on the PEN-FET. We have observed a drastic change in the drain current
at around the coercive electric fieldE
c
of the organic ferroelectric insulator in not only a FET (PEN-FET) based on a pentacene (PEN) film but also a FET (IPEN-FET)
based on an iodine doped PEN film. The magnitude of the change of the drain current for the IPEN-FET is 200 times larger than
that for the PEN-FET. It is expected from these results that the PEN-FET (especially the IPEN-FET) is an improvement in such
devices, since it operates at a low gate electric field accompanied by the appearance of the spontaneous polarization in the
organic ferroelectric insulator. In addition, we have found that the drain current for the PEN-FET does not return to the
initial drain current ofE
G
=0 V/cm for more than one week, even if the gate electric field is changed to 0 V/cm from 500 V/cm(>E
c
). From these results, it is suggested that the PEN-FET becomes a memory device. 相似文献
42.
43.
采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计 相似文献
44.
红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。 相似文献
45.
热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率,而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明,热丝加热电流越大,薄膜沉积速率越高,在加热电流9A时,薄膜沉积速率可达0.002mm/min,同时薄膜表面粗糙度随之增加,薄膜表面也开始出现其它元素污染,因此,一般热丝加热电流选择为7A附近。 相似文献
46.
为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件,从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构,研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为:下介电层/记录层/上介电层/反射层的厚度对于台记录为100nm/10nm/25nm,/60nm,而对于槽记录则为140nm/15nm/30nm,/60nm,槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。 相似文献
47.
N. Nishi J. Nishijo K. Judai C. Okabe O. Oishi 《The European Physical Journal D - Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics》2007,43(1-3):287-290
UV photoexcitation of (t-butylethynyl copper)24
cluster films induces segregation of the crystals into metallic and organic
phases and leads to evolve the metallic sheets sandwiched by organic
polymers. The growth of the metallic crystals in the plane of the
photo-electromagnetic field is attributed due to plasmon-plasmon interaction
among nanoparticles embedded in dielectric polymer matrices. The surface
enhanced photochemical reaction of residual cluster molecules on the photon
incident direction is expected to take an important role for joining the
metal particles to produce a metallic sheet. We can apply this phenomenon
for photolithographic copper pattern generation on a flexible base plate. 相似文献
48.
49.
50.
In photochemical vapor deposition of aluminum film on silicon using dimethylaluminum hydride, (CH3)2AlH, a surface reaction dominated below a (CH3)2AlH pressure of 0.3 m Torr at 200°C, which was induced only with the 160 nm band emitted from a deuterium lamp. A gas-phase reaction occurred above 0.3 mTorr at 200°C, which could be induced by both 160 nm and 240 nm emission bands from the lamp. To distinguish between surface ad gas-phase reactions, a thickness profile was used. At 240°C the surface reaction could be induced even by the 240 nm band, while the deposits formed under illumination of the two bands were thinner than those obtained with only the 240 nm band, indicating occurrence of vacuum ultraviolet (VUV)-enhanced desorption. The mechanism responsible for the observed wavelength dependence in unclear. The electrical resistivity of the films deposited at 200°C was 4.5 μΩ cm, which did not change with wavelength. 相似文献