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101.
Characterization of ceramic PVD thin films on AZ31 magnesium alloys   总被引:1,自引:0,他引:1  
Ceramic thin films have been widely used to protect the metal substrate as coatings in the past years. In order to improve the poor corrosion resistance of AZ31 magnesium alloy, the study in this paper used the electron beam evaporation method to prepare ceramic PVD films on its surface with TiO2 and Al2O3 as donors, respectively. Atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray spectrometer (EDS), Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray diffraction (XRD) were used to investigate the surface morphology, composition and microstructure of the thin films. Both films deposited on AZ31 took on compact top surface morphologies and grew as amorphous structures on substrate. AES test not only showed that films compositions deviated the standard stoichiometric ratios, but also found that element Mg diffused into films and existed as magnesium oxide in the TiOx film as well as the AlOx film. In the electrochemical corrosion test, the AlOx coating on AZ31 exhibited the largest electrochemical impedance in a 3.5% NaCl solution. But it did not show better corrosion resistance than others for the poorer adhesion. Even if its thickness was small, the TiOx coating on AZ31 exhibited the best corrosion resistance in this study. According to the observation and analysis, the damage of these films on AZ31 in aggressive solutions was mainly due to the existence of pores, microcracks, vacancies and poor adhesion between coating and substrate.  相似文献   
102.
介绍了用溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底和石英衬底上制备Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的基本原理、工艺过程及工艺特点;Sol-gel制备的Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜表面平整、厚度均匀.  相似文献   
103.
Hexamethyldisilazane (HMDS) vapor treatment of plasma-damaged nanoporous organosilicate thin films has been studied as a function of treatment temperature in this work. Although, the HMDS vapor treatment facilitated incorporation of methyl (CH3) groups subsequent to the removal of free hydroxyl (OH) groups in the damaged films at treatment temperature as low as 55 °C, the bonded OH groups were not removed. More significantly, detailed analysis of the results reveals that HMDS vapor modified only the surface of the plasma-damaged samples and not the entire film as expected. This is attributed to the formation of a thin solid layer on the surface, which effectively prevents penetration of HMDS vapors into the bulk. The Fourier transform-infrared (FT-IR) absorption and dielectric constant measurements confirm that the vapor treatment assists only partial curing of the plasma-damaged films. Alternative processes of curing the films with HMDS dissolved in supercritical carbon dioxide (SCCO2) as a medium of reaction in static and pulsed modes were also attempted and the results are presented in this paper.  相似文献   
104.
Evaporative deposition at oblique incidence is shown to enhance the magnetic anisotropy of an Fe20Ni80 magnetic film and induce magnetic anisotropy in an overlying, strongly isotropic Fe70Co30 film. This deposition method for the formation of an underlayer of several lattice parameters in thickness and semi-hard overlayer of a few thousands Angstroms in thickness achieves a significant change in the magnetization process and strong suppression of the coercive forces of Fe70Co30 in the hard magnetization direction. Soft magnetization of the Fe70Co30 overlayer is not achieved when one of the layers is deposited at oblique incidence. It is anticipated that shape magnetic anisotropy is responsible in part for the magnetic anisotropy induced in both in Fe20Ni80 under- and Fe70Co30 overlayer by oblique incidence evaporation.  相似文献   
105.
姜海青  姚熹  车俊  汪敏强 《物理学报》2006,55(4):2084-2091
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词: 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱  相似文献   
106.
对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心. 关键词: 2')" href="#">MgB2 碳纳米管 脉冲磁场处理  相似文献   
107.
曾晖  胡慧芳  韦建卫  谢芳  彭平 《物理学报》2006,55(9):4822-4827
运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现:拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响;另外,不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异. 关键词: 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数  相似文献   
108.
模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用   总被引:18,自引:4,他引:14  
将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术--模拟退火法--用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型,计算出其相应的椭偏参数(Ψ,Δ)的值,在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声;然后将加入噪声后的值(Ψm,Δm)作为模拟的测量数据,采用模拟退火算法进行求解,验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值,与其他文献的报道结果一致,而且在扩大搜寻范围时,仍然可以得到准确解,从而证明了该方法的可行性以及有效性。  相似文献   
109.
在混合密度泛函B3LYP理论下,用3-21G基函数对有限长扶手椅形单壁碳纳米管(4,4)、(5,5)和(6,6)的构型进行优化和分子静电势计算.结果表明:除近核区域为正常的正电势外,碳纳米管结构模型的管内和管外为负电势区域;在碳纳米管结构模型的管内,管心处均出现负电势的最小值,且负电势的绝对值随着碳纳米管的曲率降低而增大,管心轴线上静电势的变化随碳纳米管的曲率降低而减少,带电粒子流比较容易通过纳米管.  相似文献   
110.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F 关键词: xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火  相似文献   
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