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31.
Guo-xiang Xu Lu Qi Bi-tao Yu Lei Wen Department of Applied Chemistry College of Chemistry Molecular Engineering Peking University Beijing China Department of Inorganic Nonmetal Materials School of Materials Science Engineering University of Science Technology Beijing Beijing China 《高分子科学》2006,(3):307-313
PVC disulfide (2SPVC) was synthesized by solution crosslink and its molecular structure was confirmed by infrared spectrum. 2SPVC's specific area is 36.1 m2·g-1 tested by stand BET method, and granularity experiment gives out the particle size of d0.5= 11.3μm. With SEM (Scanning Electron Microscope) experiment the surface morphology and particle shape of 2SPVC were observed. Cyclic voltammetry (scan rate: 0.5 mV·s-1) shows that 2SPVC experience an obvious S-S redox reaction in charge-discharge process. When 2SPVC was used as cathode material for secondary lithium battery in a 1 mol·L-1 solution of lithium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide (Li(CF3SO2)2N) in a 5:45:50 volume ratio mixture of o-xylene (oxy), diglyme (DG) and dimethoxymethane (DME) at 30℃, the first discharge capacity of 2SPVC is about 400.3 mAh·g-1 which is very close to its theoretical value (410.5 mAh·g-1) at a constant discharge current of 15 mA·g-1. It can retain at about 346.1 mAh·g-1 of discharge capacity after 30 charge-discharge cycles. So 2SPVC is a very promising cathode candidate for rechargeable lithium batteries. 相似文献
32.
33.
导数阴极溶出方波伏安法测定卡那霉素注射液含量 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了汞 卡那霉素络合物的电化学行为 ,并建立了导数阴极溶出方波伏安法测定卡那霉素注射液含量的方法。在 pH 4 .7的HOAc NaOAc缓冲溶液中 ,在约 0 .12 6V (vs.SCE)处出现一个汞 卡那霉素络合物的还原峰 ,卡那霉素的浓度在 0 .0 2~ 1.5mg·ml- 1之间与导数方波伏安图的峰高存在良好的线性关系 ,回归方程ip(10 - 4A) =3.6C(mg·ml- 1) + 0 .4 6 ,相关系数为 0 .992 0。方法简便、灵敏、准确 ,可用于卡那霉素注射液含量测定 相似文献
34.
本文用热处理法成功地制备了性能稳定的Eastman-Kodak AQ/GC修饰电极,对Fe~(3+)/Fe~(2+)及其络合阳离子在该电极上的行为进行了研究。表明AQ膜对Fe~(3+)和Fe~(2+)具有相近的交换能力,可用于Fe~(3+)或Fe~(2+)及其总量的阴极溶出伏安法测定。线性范围分别为2.0×10~(-7)~2.2×10~(-5)mol/L(Fe~(3+))和5.0×10~(-7)~2.0×10~(-5)mol/L(Fe~(2+)),检出限为1.0×10~(-7)mol/L(Fe~(3+))。文中对电极反应和再生进行了探讨。 相似文献
35.
1.引言
锰酸锂阴极材料具有制备工艺简单、价格低廉、环保、安全性能较好等优点,已被国内大多数锂离子电池制造企业作为手机电池的阴极材料。但锰酸锂在高倍率电池中的研究和应用还较少,其原因之一是因为常用的高温固相法合成的锰酸锂产品粒径较大,在几个微米左右,锂离子在其颗粒内部嵌入脱嵌时迁移路径较长,导致其大倍率充,放电性能不佳。 相似文献
36.
电沉积AuInSe2半导体薄膜上的电化学振荡现象 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电沉积制得的AuInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析,同时采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率,为金铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础. 相似文献
37.
固体氧化物电解池是一种高效、环境友好型的能量转换器件,可以直接将电能转化为化学能. 本文介绍了近年来作者课题组在固体氧化物电解池直接用于CO2还原的研究进展,并以阴极材料为主着重讨论了金属陶瓷电极和混合导电型钙钛矿氧化物电极的研究工作,最后展望了未来固体氧化物电解池直接电解CO2的研究思路和方向. 相似文献
38.
新型中温固体氧化物燃料电池阴极材料Fe掺杂Sm0.5Sr0.5CoO3性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文系统研究了新型中温固体氧化物燃料电池(IT-SOFC)阴极材料Sm0.5Sr0.5Co1-xFexO3-δ(SSCF)的晶体结构、热膨胀系数、导电率及电化学性能。固相合成的Sm0.5Sr0.5Co1-xFexO3-δ化合物均为单相材料,随着掺Fe量的不同,SSCF的晶体结构发生变化,在0≤x≤0.4时,SSCF为正交晶系钙钛矿结构,在0.5≤x≤0.9时,SSCF为立方晶系钙钛矿结构。Fe掺杂可以显著的改善Sm0.5Sr0.5CoO3的热膨胀系数,随着Fe含量的增加,热膨胀系数减小。在800℃下,SSCF导电率均大于100 S·cm-1。随着Fe含量的增加,极化电阻增大;含量x=0.4时,极化电阻达到最大值;之后,随Fe含量的增加,极化电阻减小,在700~800 ℃时,Sm0.5Sr0.5Co0.2Fe0.8O3-δ表现出了良好的氧催化活性。 相似文献
39.
Charge-discharge Behavior of Surface-coated LiMn2O3.95F0.05 Cathode Materials at High Temperature 总被引:1,自引:0,他引:1
ZhaoYongCHEN YanRongLI ZuoLongYU 《中国化学快报》2003,14(12):1296-1298
With inorganic salts such as LiNO3, Li2CO3, surface-coated LiMn2O3.95F0.05 were prepared by melt-impregnation method. When these surface-coated LiMn2O3.95F0.05 were used as cathode materials, their charge-discharge characters were carefully compared. As a result, they exhibited good charge-discharge properties at 50℃ high temperature. Especially, LiNO3 surface-coated LiMn2O3.9F50.05 retained nearly 80% initial reversible capacity after 130 cycles at 50℃. 相似文献
40.
范宇航 孙丽萍 霍丽华 赵辉 Jean-Marc Bassat Aline Rougier Sbastien Fourcade Jean-Claude Grenier 《无机化学学报》2013,29(18)
采用EDTA-柠檬酸法合成了中温固体氧化物燃料电池阴极材料Sr1.5La0.5Mn1-xCoxO4(SLMCOx),并利用粉末X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)以及电化学交流阻抗谱(EIS)进行表征。结果表明,该材料与Ce0.9Gd0.1O1.95(CGO)在1 200℃烧结12 h不发生化学反应。随着Co掺入量的增加,氧化物中Mn3+和Co2+含量增多,晶格氧含量降低,晶格畸变率增大。交流阻抗谱(EIS)测试结果显示,钴的掺杂明显降低电极的极化电阻,其中Sr1.5La0.5Mn0.7Co0.3O4阴极在700℃空气中的极化电阻为0.62 Ω·cm2,明显小于Sr1.5La0.5MnO4阴极在750℃的极化电阻(1.5 Ω·cm2),表明钴掺杂的Sr1.5La0.5Mn1-xCoxO4是一种潜在的IT-SOFC阴极材料。 相似文献