La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光

以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。     

不同气压背景下激光烧蚀Al靶产生等离子体特性分析

用时间和空间分辨诊断技术研究了脉冲激光烧蚀不同气压环境下金属Ａｌ靶过程中产生的等离子体羽的特性。     

X光光电子能谱法测定胶片中氟,硅和铝的研究

应用Ｘ光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的１ｓ能级的结合能；分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化，表明氟化物分布在护膜最表层，是一种易溶于水的氟化物；测定了彩色片护膜层所含硅２ｐ能级的结合能，与自制彩色片护膜层测定结果比较，优质片含一种较多负电性，用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂；对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较，提出优质彩色片Ｆ－４００的护膜层可能是双     

Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响

SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂     

用原位红外光谱研究低硅铝比ZSM—5沸石中的新型B酸

在反应下付里叶变换红外光谱技术的研究，揭示了高晶格铝含量的沸石ＸＳＭ－５有新类型的Ｂ酸。基于甲醇和甲醇脱水物二甲基醚和Ｂ酸的相互作用，在红外差谱中，原来表征Ｂ酸在ＯＨ伸缩频率区的特征吸收谱带３６１０ｃｍ＾－１不再出现，代之以两个负吸收谱带，分别为３６１５与３５８５ｃｍ＾－１，这是以往的研究中未报导过的红外吸收谱带。     

Ni-Al二元催化体系的原位核磁共振研究

1.概述 本世纪50年代Ziegler-Natta催化体系的发现使均相络合催化研究得到突飞猛进的发展。各种各样的Ziegler-Natta催化剂已广泛被用于烯烃聚合的工业生产中。与此同时对此催化剂的作用机理和催化活性物种也做了大量的研究。在提出的许多机理中,虽然金属氢化物机理在理论上已越来越多地被人们所接受,但仍需有新的更使人信服的实验来证实。 1971年Jones在研究Ni(acac)_2和Et_2AlOEt组成的催化剂催化丙烯齐聚反应时提出了氢化物机理;1979年Keim在用镍络合物作为丙烯齐聚催化剂时,曾指出其反应过