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氯丙烯在不同催化剂表面上吸附的TPD结果表明在TS-1上有三重附峰,而在TiO2/Silicalite上仅有单峰,H2O2或分子O2在催化剂表面吸附后,在脱附物种中可用质谱检测到原子O(16)物种;说明H2O2或分子O2在样品表面存在解离吸附;并发现解离子分子O2的活性很低,TS-1能同时吸附内烯和H2O2,而在SiO2/Silicalite表面的吸附却与吸附顺序有关,环氧化活性顺序如下:TS-1 相似文献
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A Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Mirror with Silicon on Insulator for Wavelength 1.3μm 下载免费PDF全文
A concrete two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice used as a mirror for the light at wavelength 1.3μm with a silicon-on-insulator (SOI) substrate is designed by the three-dimensional plane wave expansion method. For TE-like modes, the bandgap in the Г-K direction is from 1087nm to 1559nm. The central wavelength in the bandgap is about 1.3μm, hence the incident light at wavelength 1.3μm will be strongly reflected. Experimentally, such a photonic crystal slab is fabricated on an SOI substrate by the combination of EBL and ICP etching. The measurement of its transmission characteristics shows the bandgap edge in a longer wavelength is about 1540 nm. The little discrepancy between the experimental data and the theoretical values is mainly due to the size discrepancy of the fabricated air holes. 相似文献
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用高温气-固相置换法对ZK-4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明,3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。 相似文献
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硅磷酸铝分子筛SAPO—34稳定性的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用差热分析(DTA)、原位XRD技术研究了SAPO-34分子筛原粉样品的晶体结构在模板剂烧除过程以及环境气氛中的变化情况。采用1073K下的高温焙烧和水蒸汽处理以及甲醇转化试验跟踪考察了该分子筛在结构和催化性能上的稳定性。 相似文献
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We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly. 相似文献
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Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献