首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3082篇
  免费   1438篇
  国内免费   961篇
化学   572篇
晶体学   37篇
力学   667篇
综合类   88篇
数学   387篇
物理学   3730篇
  2024年   29篇
  2023年   122篇
  2022年   99篇
  2021年   131篇
  2020年   83篇
  2019年   95篇
  2018年   85篇
  2017年   105篇
  2016年   127篇
  2015年   164篇
  2014年   324篇
  2013年   243篇
  2012年   185篇
  2011年   275篇
  2010年   289篇
  2009年   248篇
  2008年   353篇
  2007年   268篇
  2006年   295篇
  2005年   275篇
  2004年   274篇
  2003年   245篇
  2002年   148篇
  2001年   146篇
  2000年   120篇
  1999年   118篇
  1998年   91篇
  1997年   91篇
  1996年   69篇
  1995年   52篇
  1994年   57篇
  1993年   58篇
  1992年   42篇
  1991年   53篇
  1990年   46篇
  1989年   40篇
  1988年   9篇
  1987年   12篇
  1986年   6篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   2篇
  1980年   2篇
排序方式: 共有5481条查询结果,搜索用时 46 毫秒
41.
物质纯重力场部分的能量-动量张量研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
娄太平 《物理学报》2004,53(6):1657-1661
认为物质的质量(能量)存在形式可分为两部分,一部分是以纯物质形式存在的,另一部分是以纯重力场形式存在的.物质质量(能量)这两种形式各自对应着相应的能量 动量张量,物质总的能量-动量张量可表示为Tμν=T(Ⅰ)μν+T(Ⅱ)μν,这里,T(Ⅰ)μν,T(Ⅱ)μν分别代表物质纯物质部分和纯重力场部分的能量-动量张量.通过类比电磁理论,定义:ωμ≡-c2gμ0/g00,并引入一个反对称张量Dμν=ωμ/xν-ων/xμ,则物质纯重力场部分的能量-动量张量为T(Ⅱ)μν=(DμρDρν-gμνDαβDαβ/4 关键词: 能量-动量张量 纯重力场 重力场方程 标量重力势 矢量重力势  相似文献   
42.
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications.  相似文献   
43.
胡玉民  李仪 《中国物理 C》1989,13(6):490-493
用表面电荷密度法计算了能量分析器中静电减速透镜的电位分布,有基尔法对电子轨迹进行了模拟,在电子能量为20keV时,得到分析器的能量分辨为1.0eV;讨论了束径、入射角、透镜第三电极孔径对能量分辨的影响;并对个别实验结果论作了补充.  相似文献   
44.
用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.  相似文献   
45.
考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ-Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。  相似文献   
46.
47.
曾高坚 《中国物理快报》2002,19(12):1745-1748
We Construct and SU(1,1)coherent state for hydrogen,we discuss its properties,and we give the energy distribution law of the atom.The coherent state may be used to describe the atomic states of the discrete spectrum.  相似文献   
48.
Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词: 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积  相似文献   
49.
王亚平  蔡勖 《中国物理 C》2006,30(7):606-611
对ALICE实验光子谱仪的触发选判机制进行了模拟研究, 内容包括: 1) 对光子谱仪的能量重建性能进行了研究, 通过计算机模拟检验光子谱仪探测器对大横动量范围的入射粒子的能量重建性能; 2) 对光子谱仪探测器的事件触发效率进行了研究, 通过计算机模拟分析触发阈值的选取并计算触发效率; 3) 对光子谱仪探测器的事件触发频率进行了研究, 通过计算机模拟对p-p和Pb-Pb两种碰撞模式下的触发频率分别进行了估算和讨论.  相似文献   
50.
上海光源储存环束流托歇克寿命研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
上海同步辐射装置(SSRF)是目前在建的第3代专用同步辐射光源. 其储存环电子能量3.5GeV, 设计束团发射度3.9nm•rad. 托歇克寿命将是影响束流寿命的最主要因素, 它主要受限于储存环的能量接受度. 储存环的能量接受度不但取决于 高频电压, 同时也受动力学孔径和物理孔径的影响. 因此能量接受度的计算将是复杂的. 通过计算机模拟跟踪的方法计算储存环各点的能量接受度, 其程序是建立在Accelerator Toolbox(AT)基础上的自编程序. 通过这些能量接受度数据给出更加准确的托歇克寿命, 并且分析了感兴趣的不同运行条件下的托歇克寿命的变化情况.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号