首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13339篇
  免费   2717篇
  国内免费   10302篇
化学   18893篇
晶体学   722篇
力学   781篇
综合类   381篇
数学   395篇
物理学   5186篇
  2024年   165篇
  2023年   627篇
  2022年   772篇
  2021年   777篇
  2020年   682篇
  2019年   825篇
  2018年   594篇
  2017年   807篇
  2016年   842篇
  2015年   867篇
  2014年   1325篇
  2013年   1257篇
  2012年   1128篇
  2011年   1083篇
  2010年   1010篇
  2009年   1111篇
  2008年   1197篇
  2007年   1120篇
  2006年   1105篇
  2005年   1001篇
  2004年   900篇
  2003年   803篇
  2002年   720篇
  2001年   769篇
  2000年   580篇
  1999年   512篇
  1998年   454篇
  1997年   467篇
  1996年   409篇
  1995年   416篇
  1994年   355篇
  1993年   326篇
  1992年   296篇
  1991年   234篇
  1990年   234篇
  1989年   228篇
  1988年   106篇
  1987年   80篇
  1986年   56篇
  1985年   61篇
  1984年   24篇
  1983年   24篇
  1982年   6篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
成分和厚度的依赖   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
代波  蔡建旺  赖武彦 《物理学报》2003,52(2):478-482
通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变. 关键词: Ni81Fe19/Ni100-xMnx 交换偏置场  相似文献   
32.
研究了配合物氧化还原反应中的过渡态配合物结构 ,电子迁移轨道及反应速率。  相似文献   
33.
二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜   总被引:14,自引:0,他引:14  
通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系  相似文献   
34.
 对Cl/HN3/I2产生NCl(a)/I激光的过程进行了化学动力学计算,主要考察了Cl,HN3和I2的初始粒子数密度及其配比对小信号增益系数的影响。结果发现,当温度为400K, 初始Cl粒子数密度为1×1015,1×1016和1×1017cm-3时,小信号增益系数分别达到1.6×10-4,1.1×10-3和1.1×10-2cm-1,获得最佳小信号增益系数的HN3和I2的初始粒子数密度分别为初始Cl粒子数密度的1~2倍和2%~4%。同时,对Cl,HN3和I2配比对小信号增益系数和增益持续时间的影响进行了讨论。  相似文献   
35.
微模塑法制备PMMA/SiO2二氧化硅杂化材料微结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
以摩尔比为 1∶1的甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、甲基丙烯酸 (3 三乙氧基硅烷基 )丙酯 (ESMA)单体、0 .2 %(单体总量的质量分数 )的偶氮二异丁腈AIBN引发剂和四氢呋喃 (THF)溶剂 ,及 2 0 % (总质量分数 )的正硅酸乙酯TEOS合成出PMMA/SiO2 有机 无机杂化的杂化溶胶 .将溶胶在洗净的普通光学玻璃基片表面甩膜 .利用软刻蚀中的微模塑法 ,把有机硅弹性印章复制有精细图纹一面轻放在杂化溶胶膜上进行微模塑 ,外加 1N压力于12 0℃下处理 2h使溶胶凝胶化 .印章剥离后在基片表面就形成了PMMA/SiO2 有机 无机杂化材料的微图纹结构 .从微图纹的光学显微镜照片可以看出微模塑方法制备杂化材料复制的图纹精细度高 ,操作简单易行 ,是一类比较理想的微细图纹结构加工的方法 .  相似文献   
36.
本文通过制备吸附树脂D3520负载的钴,锰双金属氧化物催化剂(Co-Mn-O/D3520),考察了在强碱性醇溶液中氧化对甲酚制对羟基苯甲醛的催化性能。利用XRD,XPS,IR等方法研究了催化剂的表面结构及其与催化性能的关系。  相似文献   
37.
38.
尹虹  邓勃 《分析化学》1997,25(4):400-403
采用前馈线笥网络BP算法,计算了Cd62+-OH^-CO^2-3三元体系的累积稳定常数。用Hopfield反馈网络研究了体系中络合物的形态分布。溶液中溶解的CO2对lgβ1的计算结果有重要影响,对lgβ2,lgβ3,lgβ4的结果影响不大。  相似文献   
39.
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析   总被引:5,自引:2,他引:3  
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.  相似文献   
40.
利用原位红外技术研究了CH3OH,CO,O2等在5%Ag/γAl2O3上的吸附情况及CH3OH和O2共吸附时表面物种的变化.结果表明,在表面纯净的Ag/γAl2O3催化剂上,甲醇的解离吸附仅发生在γAl2O3上;表面预吸附氧后,可大大增强Ag对CH3OH的解离吸附,当吸附的[CH3O]与[O]在Ag/γAl2O3上相互作用时,出现吸附态甲醛、甲二氧基、甲酸根等中间物种.O2在Ag/γAl2O3上存在非解离吸附(O-2),在真空中较易脱附,但在氧气氛下可于100℃时稳定存在.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号