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在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况,分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。 相似文献
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93.
Monte Carlo (MC) simulations are used to simulate the voltage profile and the ionic conductivity s of Li ions in LixMn2O4 and its dependence on the lithium concentration x. The open circuit potential shows clearly the two plateaus in the charge/discharge curve, which agrees well with the experimental results. The two plateaus become more and more steep when the temperature is increased. The simulated ionic conductivity shows an M-shaped curve in the plot of ionic conductivity cr versus x when the simulation temperature is low. Interestingly,the minimum valley, which lies at the middle single-phase area near x=0.5, disappears gradually when the temperature increases to 453K. 相似文献
94.
高能、超短脉冲、可调谐激光器用掺镱氟磷酸盐玻璃研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
Yb^3 与其它稀土离子相比有最简单的能级结构,这使它具有一些独特的性质,如避免激发态吸收,消除上转换和浓度猝灭等,因此它是高能输出激光器介质的理想掺杂离子。氟磷玻璃综合了氟化物玻璃和磷酸盐玻璃的优点,可降低磷酸盐的声子能量,改善其易吸湿性;提高氟化物玻璃的物理化学性能等,这使它成为稀土掺杂可调谐光纤激光器的很好的掺杂介质。众多研究表明,Yb^3 掺杂氟磷玻璃是一种很有前途的激光工作物质。本文总结了Yb^3 掺杂氟磷玻璃的特点,性质,结构及存在的问题。 相似文献
95.
96.
报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200—1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱 激发源,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所 形成的可见光波段的特征谱线,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1 的特征光谱线.通过分析发现,在禁戒跃迁的谱线中,有些是电子组态相同而原子态不同的 偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强.
关键词:
光谱
禁戒跃迁
电子组态
高电荷态离子 相似文献
97.
We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co. 相似文献
98.
Radiative lifetimes of two short-lived levels (i.e. 4f^8 (TF6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2,13/2) in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence (LIE) technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse (about 1 ns). The lifetimes of the 4f^8 (^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2 and 4f^8(^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)13/2 levels are determined to be 1.9 (2) and 2.0 (2)ns, respectively. 相似文献
99.
Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y/GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers 下载免费PDF全文
Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features. 相似文献
100.