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41.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
42.
43.
44.
亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性 总被引:2,自引:0,他引:2
文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大. 相似文献
45.
46.
合成了一种新型金属杂冠醚配合物[Mn6(4-amashz)6(DMF)6]·12DMF,并用X射线衍射法对其结构进行了表征.研究了该化合物修饰金电极催化氧还原的性质,结果表明,该化合物具有平面碟状结构,对在碱性溶液中的氧有显著的催化还原作用. 相似文献
47.
48.
G.A.Gamal M.AbouZied A.A.Ebnalwaled 《中国物理快报》2005,22(6):1530-1532
Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found. 相似文献
49.
氘作同位素交换气对除氚后的新鲜氘氚化锂残渣[主要成分是硅锂化合物和二氧化硅,渣中含氚约为0.9443mg/g(渣)]中的微量氚进行氚的计量与回收,为氘氚化锂残渣中氚的回收提供技术支持。 相似文献
50.
构造一个求解椭圆型边值问题的多子域D—N交替算法,导出对应的容度方程和等价的迭代法,证明算法的收敛性。 相似文献