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在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。 相似文献
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本文设计合成了一种具有较好平面性和疏水性的新型3,5-二碘水杨醛缩4,4’-二氨基二苯甲烷双席夫碱的Cu(Ⅱ)和Mn(Ⅱ)的配合物,用红外光谱、元素分析、TG-DSC和摩尔电导对其结构进行表征,并对双席夫碱的结构、配合物的稳定常数及配合物与ct-DNA的作用情况进行研究。结果表明,配合物的结构为M2L2(M=Cu(Ⅱ)和Mn(Ⅱ)),稳定常数分别为3.78×105和1.96×105L/mol,结合常数分别为3.78×105和1.96×105L/mol,通过键合常数可知两种配合物可以很好地以插入模式与DNA结合,它们与DNA的作用强弱顺序为:Cu2L2Mn2L2。 相似文献
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在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide(NTCDI-C8F)和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide(PTCDI-C8)层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在105~106。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。 相似文献
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For a graph G, a path cover is a set of vertex disjoint paths covering all the vertices of G, and a path cover number of G, denoted by p(G), is the minimum number of paths in a path cover among all the path covers of G. In this paper, we prove that if G is a K_(1,4)-free graph of order n and σ_(k+1)(G) ≥ n-k, then p(G) ≤ k, where σ_(k+1)(G) = min{∑v∈S d(v) : S is an independent set of G with |S| = k + 1}. 相似文献
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植物既不会奔跑,也不会躲藏,但是长期的进化使它们具备了花样百出的防御手段。这些应答反应包括招引昆虫对付那些啃食它们或以其他方式危害它们的有害生物。克里斯蒂安·施尼(ChristianeSchnee)和同事们剖析了这个信号系统---玉米被毛虫攻击时,就会启动这个系统。植物发出的信号包括挥发性物质,在此案例中,施尼等招引到的是一种寄生蜂。这些雌性寄生蜂在毛虫身上产卵,从而引起毛虫死亡。玉米释放出一组鸡尾酒式的挥发性防御信号,以应对草食动物的攻击和一般的困境,研究这一过程就可以确定这些信号的复杂成分。 相似文献
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钌(Ⅱ)多吡啶配合物的合成、荧光性质及与脱氧核糖核酸DNA的作用机制研究 总被引:2,自引:0,他引:2
设计合成含多个配位中心的多吡啶配体ODCIP(3,4-二氯基苯并咪唑并[4,5-f][1,10]邻菲咯啉)及其钌(Ⅱ)多吡啶配合物[Ru(bpy)2ODCIP]2 .运用元素分析、红外光谱、核磁谱和质谱对配体及配合物进行结构表征.利用紫外吸收光谱、荧光光谱和粘度法研究了[Ru(bpy)2ODCIP]2 与DNA(脱氧核糖核酸)的作用机制、与Co2 配位后与DNA的作用机制及其荧光变化情况.结果表明[Ru(bpy)2ODCIP]2 与DNA通过部分插入模式作用,[Ru(bpy)2ODCIP]2 与Co2 配位形成的双核配合物[Ru(bpy)2(ODCIP)Co]4 也能与DNA插入结合.进一步利用稳态荧光发射光谱、荧光淬灭实验等方法研究了单核配合物[Ru(bpy)2ODCIP]2 和双核配合物[Ru(bpy)2(ODCIP)Co]4 的荧光性质. 相似文献