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1.
张平  高福斌  邢汝冰 《发光学报》2001,22(2):147-150
有机聚合物的紫外漂白,经过一系列复杂的光化学反应,会使聚合物薄膜的折射率和厚度降低。在此基础上,利用金属掩模对聚合物薄膜进行选择性紫外漂白,制备出了聚合物脊形条波导。紫外漂白不需要对聚合物薄膜进行光刻和腐蚀便可获得边缘和表面比较整齐和光滑的脊形条波导,对减少波导的散射损耗十分有利。本文介绍了利用紫外漂白和金属掩模方法制备侧链型聚合物DANS(4-dimethylamino-4’nitro-stlibene)-PMMA(polymethyl methacrylate)脊形条波导的工艺过程,并对关键工艺进行了讨论。  相似文献   
2.
LiNbO3质子交换波导及其退火效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
高福斌  金锋 《光子学报》1995,24(4):336-339
采用质子交换技术,以苯甲酸为交换源,实验研究X-切LiNbO3质子交换平面波导及其退火效应。利用棱镜耦合器测出波导模折射率。采用费米函数,由模折射率确定出波导折射率分布随退火时间的变化关系,给出了分布参数和曲线.  相似文献   
3.
在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。  相似文献   
4.
研究了2,3-四-(2-异丙基一5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300 K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200 nm厚)在300 K下光致发光光谱.氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300 K下出现了1 673 nm激基缔合物峰.该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300 K激基缔合物峰比在177 K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因.随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强.由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1 140 nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大.浇铸膜的发光峰的半高宽为300 nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100 nm左右.  相似文献   
5.
脊形聚合物光波导制备及理论分析   总被引:4,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
报道了利用铝膜作掩模,通过紫外光照射制备键合型聚合物DANS-PMMA脊形光波导的新方法。所制备的聚合物脊形光波导,其形状与通常的脊形波导相同,但内部折射率又与矩形波导类似。从理论上推导出脊形波导的模式本征值方程,并给出相应的归一化通用曲线,可以供相应波导设计和制备作为参考。  相似文献   
6.
测量液体和气体折射率的集成光学技术单侧的双侧漏模法   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   
7.
金锋  高福斌 《光子学报》1990,19(4):331-336,330
对于在流动干氩气中扩散而形成的Z-切Ti:LiNbO3平面波导,用Fouchet等人提出的钛感应折射率增量在0.6~1.6μm波长范围内的色散关系,推得与扩散参数有显函数关系的模式数量的色散公式。在若干重要波长,用这些色散公式,画出模式数量和扩散参数的关系曲线,可用来控制相应波导和器件的模式数量。  相似文献   
8.
张伯华  高福斌  金锋 《光子学报》1990,19(2):199-204
用钛内扩散技术和常规光刻手段,研制出1.5μmLiNbO3电光波导强度调制器。它由单模波导非对称Mach-Zehnder干涉仪和三电极共平面波导组成。干涉仪的两个臂长相差波导波长的四分之一,使器件在最佳线性点工作,无需外加电偏压。集总调制和行波调制的理论带宽分别为1GHz和7.8GHz。对于集总器件,测量了调制特性,半波电压为9.5V,调制带宽为0.7GHz。  相似文献   
9.
高福斌  张平 《发光学报》2000,21(2):165-168
研究了极化聚事物薄膜波导的退极化过程,提出了表征极化聚合物薄膜取向有序度和极化寿命的集成光学方法。采用集成光学中的棱镜耦合技术,测量极化前后聚合物薄膜光波导的各向异性有效折射率。通过求解各向异性介质光波导的模式本征方程,得到波导极化前后寻常光和非寻常光折射率的变化及其随时间衰减,进而得到取向有序度随时间的变化曲线。采用复合指数函数模型进行最小二乘曲线拟合,进而推测其极化寿命。实验中以键合型DANS  相似文献   
10.
在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。  相似文献   
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