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三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
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矩孔金属光栅矢量模式理论的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
根据矩孔金属光栅的矢量模式理论,计算了不同入射方向,波长及偏振态情况下衍射场的分布,研究了不同光栅结构对衍射效率,偏振态变化的影响;同时,根据实际需要,加工制作了一批不同深度的矩孔光栅样品,进行了实验测量,并将计算值与实验值进行了比较,两者基本相符。 相似文献
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Optical Recording Properties of Metal-Azo Dye as Recording Medium with Super-Resolution Near-Field Structure 下载免费PDF全文
A novel metallized azo dye has been synthesized. The absorption spectra of the thin film and thermal characteristic are measured. Static optical recording properties with and without the Bi mask layer super-resolution near-field structure (Super-RENS) of the metal-azo dye are investigated. The results show that the metal-azo dye film has a broad absorbance band in the region of 450-650 nm and the maximum absorbance wavelength is located at 603 nm. It is also found that the new metallized azo dye occupies excellent thermal stability, initiatory decomposition temperature is at 270℃ and the mass loss is about 48% in a narrow temperature region (15℃). The complex refractive index N (N = n + iκ) is measured. High refractive index (n = 2.45) and low extinction coefficient (κ = 0.2) at the recording wavelength 65Ohm are attained. Static optical recording tests with and without Super-RENS are carried out using a 65Ohm semiconductor diode laser with recording power of 7mW and laser pulse duration of 200ns. The AFM images show that the diameter of recording mark on the dye film with the Bi mask layer is reduced about 42%, compared to that of recorded mark on the dye film without Super-RENS. It is indicated that Bi can well performed as a mask layer of the dye recording layer and the metallized azo dye can be a promising candidate for recording media with the super-resolution near-field structure. 相似文献
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