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51.
The Raman shifts of nanocrystalline GaSb excited by an Ar^ ion laser at wavelengths 514.5, 496.5, 488.0, 476.5,and 457.9nm are studied by an SPEX-1403 laser Raman spectrometer respectively, and they are explained by phonon confinement, tensile stress, resonant Raman scattering and quantum size effects. The Stokes and anti-Stokes Raman spectra of GaSb nanocrystals strongly support the Raman feature of GaSb nanocrystals. The calculated optical spectra compare well with experimental data on Raman scattering GaSb nanocrystals. 相似文献
52.
53.
黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
54.
求解一类非单调线性互补问题的宽邻域内点方法及其计算复杂性 总被引:1,自引:0,他引:1
对于一类非单调线性互补问题给出了一种新的算法——宽邻域内点算法,并讨论了其计算复杂性。 相似文献
55.
Starting from a soliton model of SU(3) gauge fields, we investigate the behaviour of the model at finite temperature. it is found that colour confinement at zero temperature can be melted away under high temperatures. 相似文献
56.
We experimentally demonstrate that the entanglement can be created on two distant particles using separable states. We show that two working particles can share some entanglement, while one ancilla particle always remains separable from the two working particles during the experimental evolution of the system. Our experiment can be viewed as a benchmark to illustrate the idea that no prior entanglement is necessary to create entanglement. 相似文献
57.
58.
1945年原子弹(AtomicBomb)在广岛长崎爆炸之前,一般人很难理解原子弹的威力,原子钟(AtomicClock)也不是大家都能一睹为快的;但是,原子弹和原子钟的概念的确已是家喻户晓。如果我们要比较原子钟和原子弹谁更重要还真不容易,原因很简单:它们自从诞生之日起,就对世界产生了极其深远的影响;而且,随着时间的推移,这种影响不是在减弱,而是在日益加剧。从理性上来讲,原子钟的贡献并不比原子弹小,也并不让人毛骨悚然。我们认为,原子钟给人类的贡献要远远大于原子弹,而且,在社会和科学研究中日益发挥着更为重要的作用. 相似文献
59.
Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y/GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers 下载免费PDF全文
Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features. 相似文献