超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯复合材料的输运性质

采用热压法获得了具有不同混合比例的超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯导电复合材料,并利用x射线衍射、扫描电子显微镜和标准四引线方法对复合材料的结构和低温电输运性质进行测量.实验结果显示,超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4颗粒随机分布在聚合物本体中,相互间没有连接构成网络结构.在正常态下,复合材料的电阻-温度变化曲线给出类半导体行为.但对应于超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4的超导转变温度Tc处,复合材料的电阻-温度变化曲线出现了极小值.室温下电阻率ρ随外加电场强度E的变化曲线测量结果表明,ρ-E曲线为一线形关系,随着电场强度E增加,电阻率ρ下降.文中对可能存在的导电机制进行分析,结果表明隧道贯穿模型可以很好地解释复合材料的导电机制.另外,外加电场强度E对复合材料的电输运特性有明显的影响.     

双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程

利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法研究了双阱结构含时量子 输运的微扰论.获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集，在此基础上，把双阱与左 右热库的相互作用作为微挠，获得了双阱结构一阶近似下的输运方程，并在绝热近似下提供 了一种用于研究量子输运过程中几何相因子(Berry相因子)的方法. 关键词： 含时量子输运 输运方程 不变量 几何相因子     

纳米技术新秀:单原子晶体管

 美国康奈尔大学的一个科学家小组研制成由一个钴原子构成的晶体管,钴原子包裹有一层复杂有机化合物,直径仅为10纳米的黄金导线被放置在硅片上,并用这种有机化合物覆盖住。然后在导线上钻一个直径约为1纳米的小孔,制成电源电极和电流电极,再将带有钴原子的有机化合物放置在小孔上,用二氧化硅作绝缘体。哈佛大学另一组科学家也用类似方法研制成单原子晶体管,他们是在黄金电极上放置钒分子,而用氧化铝作绝缘体。单原子或单分子晶体管研究表明,只有在加上一定电压时电流才会通过这类晶体管。此外,将它们放置在磁场中时,通过电流中的电子数量会增加。     

木星周围发现水蒸气环

 美国天文学家在木星周围发现一个巨大水蒸气环,美国霍普金斯大学科学家对卡西尼探测器飞近木星时传回数据的处理结果作出结论,木星周围出现水蒸气是由于微陨星经常撞击木卫二冰面的结果,木卫二是木星最大卫星之一。根据发表在《自然》杂志上的研究结果,在发现的水蒸气环中气团质量可与另一颗卫星---木卫一表面喷溅的气体质量相比拟。木卫二的强烈的火山活动被厚冰层所覆盖,冰层下面存在有液态海水,木卫二对于研究人员来说非常神秘。     

一个不定方程以及它的实数解

研究了一类不定方程 ,并获得了它的所有实数解     

陈化温度和Fe/Zr配比对SO42-/Fe2O3-ZrO2固体超强酸结构与性能的影响

用低温陈化法制备了SO42 -/Fe2 O3 ZrO2 (简称SFZ)固体超强酸催化剂 ,用红外光谱 (IR)和X光衍射(XRD)对其结构进行了表征 ,并考察了它对合成癸二酸二正丁酯的催化性能 .IR谱显示 ,低温陈化的SFZ样品在10 70cm-1处吸收峰远强于常温陈化样品 .XRD分析则显示 ,在焙烧温度为 6 5 0℃、Fe/Zr为 2∶1时 ,低温陈化的样品出现了亚稳态的ZrO2 四方晶相 .该样品在催化酯化反应中使产率达 90 %以上 ,高于常温陈化样品的 30 % .研究结果表明 :在其他条件不变时 ,低温陈化所出现的亚稳态的ZrO2 四方晶相是表面酸性和催化活性增加的微观原因     

图的边韧性度

文[1]中,定义图G(V,E)的边韧性度定义为min{(|S|+T(G-S))/(ω(G-S)):S?E(G)},这里,T-(G-S)和ω(G-S)分别表示G-S中最大分支的顶点数和连通分支数.这是一个能衡量网络图稳定性较好的参数,因为它不仅考虑到了图G-S的分支数也考虑到了它的阶数.在以前的工作中,作者得到了边韧性度图的一个充要条件.利用这些结果证明了K-树是严格边韧性度图,并找到了边韧性度与较高阶的边坚韧度和边坚韧度之间的关系.     

高三学生解题后反思的途径

解题后的反思包括对解题过程的反思 ,即这个解法是否唯一 ,是否合理、简捷 ,运用的知识 (定理、法则、概念等 )是否无误 ;对命题条件和结论的反思 ,即回顾条件与结论的逻辑联系的特殊性与普遍性 ,涉及到哪些技巧 ,哪些规律性的东西 ,哪些知识得到深化 ,知识应用中的哪些是再创造的 ,及哪些思想方法得到训练、哪些能力得到提高等 .在高三复习中重视反思 ,可以使学生在有限问题的研究中获得智力上的发展 ,数学思想方法和能力得到训练 ,并能克服高三复习中“题海战术”的盲目性 .一、对条件的反思教材和习题中有许多很典型且极具教学价值的题目…     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．     

延迟微分方程单支方法的非线性稳定性

本文讨论延迟微分方程单支方法的非线性稳定性 .对于 Kα,β,γ类非线性延迟微分方程 ,我们证明带有线性插值的 G( c,p,q) -代数稳定的单支方法当 c≤ 1时是 GR( p/2 ,q/2 ) -稳定及弱 GAR( p/2 ,q/2 ) -稳定的 ,当 c<1时是 GAR( p/2 ,q/2 ) -稳定的 .最后的数值试验表明了上述结论的正确性 .