固体颗粒与通道壁面相互作用的实验研究

本文通过实验研究了在一个水平直通道和三个倾斜通道内固体颗粒沿着主气流的方向运动,与通道壁面发生碰撞及和主气流掺混的特性。实验采用了PIV测试技术,获得了在流道中固体颗粒及气流的大量的瞬态及对应的时均流场数据。测量采用流场可视化技术,再现了流场的动态细节。在对实验数据分析的基础上,总结了有关颗粒扩散及与固壁碰撞的一些规律,定量阐述了固体颗粒与壁面碰撞的规律,提出了恢复系数为粒子入射速度与角度函数的模型。     

6σ管理和统计技术

从6σ名称,绿带、黑带的评定标准和培训内容都体现了统计技术是6σ管理的核心技术。DMAIC统计技术应用模式虽有不足,最大功绩是使应用统计技术简单化,实际应用者认识了统计技术的重要性。     

目标方位估计的相关矩阵最大特征值法

研究均匀线阵(ULA)波束形成时作者发现，当操纵线阵指向方位不断变化，相关矩阵的最大特征值也随着有规律地变化着。通过分析最大特征值的变化，能够估计目标方位和数目。本文从实验数据和计算机仿真两方面对单目标和多目标进行处理，验证上述方法的可行性。     

激光技术及强激光与物质相互作用实验

利用科研成果，开设激光技术及强激光与物质相互作用实验，让学生了解强激光与物质相互作用时的2个典型效应：二次非线性光学效应，高压冲击波（光力学）效应，实现了科研与实验教学的紧密结合。     

策略性授权与专利技术的拍卖许可

本文在双寡头垄断的市场中,考察了拍卖许可制度下企业所有者的策略性授权行为对技术专利持有者的最优许可政策的影响.结论表明,在一定条件下,对于价值较大的技术创新,策略性授权行为的存在会阻碍专利技术的扩散.最后给出政策含义.     

数字技术与科技进步

本文讨论并提出数字技术与数学科学的内在联系 .并根据实际的分析和研究 ,认为数字化技术只是信息化促进科技发展的一个阶段 ,尽管数字技术已经并将继续推动科技和生产力的发展速度     

气流混合对生长GaN：Si膜性能影响的研究

用金必有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析，研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响。结果表明：合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早，气流混合时间长，GaN:Si膜的黄带与发射强度之比较大，X射线双晶衍射半高宽；Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚，尽管可减少预反应，但气流混合不均匀，致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长、获得了光电及结晶性能良好的CaN:Si单晶膜。