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31.
纳米硅量子线的发现与研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
俞大鹏 《物理》1998,27(4):193-195
一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域.文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线(SiNWs)的方法,介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果.纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景.  相似文献   
32.
科教信息     
《物理通报》2002,(1):48-48
  相似文献   
33.
介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下,模拟测量磁通量子2e/h,用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。  相似文献   
34.
本文提出一维k组元的Fibonacci结构,它包含k个无公度的基本长度,是具有两个基本长度的标准Fibonacci结构的自然推广,投影理论被用来处理它的X射线衍射花样及其指标化问题,理论模拟被用于验证投影理论的结果,值得注意的是,对于有限的链长,当k足够大时,它的衍射谱将趋于混沌。 关键词:  相似文献   
35.
(1,1—二硝基—2—叠氮基乙基)苯的合成及其热稳定性   总被引:1,自引:0,他引:1  
阎红  管晓培 《应用化学》1996,13(2):111-112
  相似文献   
36.
37.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.  相似文献   
38.
Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
关键词:  相似文献   
39.
《中国稀土学报》2006,24(4):516-516
该会议为中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员主办的国内首次纳米材料发光性质专题学术研讨会,旨在通过大会报告、专题研讨等活动,总结、交流近年来掺杂纳米发光材料及其相关应用领域所取得的研究进展和成果。在此基础上凝练科学目标、探讨和规划未来的学科发展方向并集中国内的优势资源攻克难点的科学问题,使我国在该研究领域更具国际竞争力。会议诚邀请该领域知名的专家和学者参加;在探索纳米世界之余,也将带您领略海南美丽而独特的自然景观和人文奇迹。  相似文献   
40.
Practical absorption limits of MPP absorber   总被引:1,自引:0,他引:1  
The construction and properties of microperforated panel (MPP) absorber are discussed. The absorption limit of the absorber had been shown that low values of the perforate constant k = d(f/10)1/2 and the orifice diameter d (in mm) are essential for MPP to have high absorption in wide frequency band. To find the exact limits, take 1 for k as a start, because both specific resistance and high absorption require k around one. And the orifice diameter d is chosen as 0.1 mm, so that the peak absorption coefficient (resonance absorption) is at 1000 Hz, and high sound frequency may be in the absorption region. Is it possible for a single layer of such an MPP to cover the whole absorption region required in practice? The half-absorption limit is not a good criterion, because low absorption comes in also in some cases. The 0.5 absorption coefficient limit is suggested for practical region, as a standard for comparison. Absorption curves were drawn for different load resistances, of absorption coefficients versus frequency. Ordinary MPP absorber absorbs in slightly over two octaves, and the new absorber with r = 1 (specific resistance equal to the characteristic impedance in air)is slightly better than these, 2.5 octaves. The new absorbers with r > 1, are much better than these, and some satisfies high absorption in broad frequency range. Realization of these will mean great progress of MPP absorbers.  相似文献   
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