Mo2C膜表面粗糙化规律的计算机模拟

引入晶粒边界修正,改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型,将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布,确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律,结果表明：引入晶粒边界修正大大促进了理论与实验结果的一致,Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化属快速粗造化,粗造度随基底温度升高在而非线性地增大。     

三轴形状原子核存在的可能证据

本文证明三轴形状(非轴对称形状)原子核两类转动惯量之间的关系不同于轴对称原子核的。作者对稀土区和锕系区近八十个偶偶核的能谱作了分析比较,结果支持了上述结论,从而说明三轴形状原子核可能具有的特征。本文以五个核为例加以说明。     

空间域和空间频率域中的对称变换

引入了一类新的积分变换,即对称变换.这类变换在空间域和空间频率域中实现的变换操作是相同的.换句话说,如果一个积分变换器对信号本身及其Fourier频谱作相同的变换操作,那么这种变换即为对称变换.给出了对称变换的成立条件,即当积分变换核是所谓的类自Fourier变换函数时,此变换即为对称变换.并提出了类自Fourier变换函数的一种构造方式.同时还指出,光学中的分数Fourier变换即是一种对称变换.     

铊玻璃自聚焦透镜边缘折射率分布的改进

本文用雅明干涉仪测定第一次离子交换后的径向折射率分布,边缘部分与理想分布有极大的偏差。在此基础上并进行了第二步高于交换,测定其边缘分布有进一步改进,同时,第二次成象比第一次有明显的改善。     

量子Heisenberg薄膜临界点的变分累积展开研究

采用变分累积展开法研究了超立方格点上任意自旋的量子Heisenberg薄膜的临界点.从自由能的解析性质出发,原则上能计算作为多层膜层数l函数的临界约化温度θ(n)(l)到任意累积展开级次n.给出了θ(n)(l)的前三级解析表达式和数值结果,并对结果作了分析和讨论. 关键词：     

迥然不同的pV=nRθ与pV=nRT

理想气体的状态方程ｐＶ＝ｎＲθ,是依据三个实验定律进行热力学理论推导的结果。根据它可以用理想气体实现热力学温标。ｐＶ＝ｎＲＴ是依据实验事实得到的理想气体绝对温标的定义式。两者的物理意义是不相同的。     

超小金属微粒超导电性的能级统计

用平均场理论的自洽方程计算了随机矩阵理论中三种系综(Gauss Orthogonal Ensemble;Gauss Unitary Ensemble;Gauss Symplectic Ensemble)所对应的电子能级的奇/偶电子数分布对临界电子能级间距的影响,得到了在不同的自旋-轨道耦合和磁场中奇/偶电子数分布的临界电子能级间距的定量关系以及奇电子数的Δ((0)随平均能间距o>的变化. 关键词：     

F-P干涉仪腔镜的不平行度对高斯光束透射特性的影响

基于多光束干涉原理,推导出了高斯光束经过两腔镜不严格平行的F P干涉仪后透射光强度的表达式。在此基础上,数值研究了F P干涉仪腔镜的不平行度对高斯光束透射特性的影响。结果表明:随着F P两腔镜不平行度的增大,透射光的峰值强度总体呈现下降的趋势,且在下降的过程中会出现波动;峰值强度位置将发生移动;光斑的均方根宽度将发生变化。     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种“多层三明治结构”的光致发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,然后分别在 40 0、6 5 0和 75 0℃退火 1h .在波长为 2 5 0nm的紫外光激发下 ,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在 398nm (3.12eV)处的紫光宽带PL1峰 .在 6 5 0℃退火后 ,又出现了一个在 36 0nm (3.44eV)附近的PL2 峰 .PL1和PL2 峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关 ,但强度却与退火温度和激发波长密切相关 .结合形态结构分析可知 ,紫光PL1峰可用量子限制 -发光中心 (QC LCs)模型进行解释 :即光激发发生在SiO2 微粒内部 ,而光发射源于SiO2 与Si界面上的缺陷中心 .紫外荧光PL2 峰则源自SiC内部的电子 空穴复合发光     

Mo2C膜表面粗糙化规律的计算机模拟

引入晶粒边界修正,改进了Mo2C膜表面粗糙化物理模型,将DT2模型推广到包括有温度的情况,对Mo2C膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布,确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律。结果表明：引入晶粒边界修正大大促进了理论与实验结果的一致,Mo2C膜表面粗糙化属快速粗造化,粗造度随基底温度升高而非线性地增大。