基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器

 利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲,采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构,包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100 ns、重复频率20 kHz、峰值电流60 A、峰值电压2 kV的功率脉冲。     

合肥光源逐束团横向反馈系统

 介绍了在合肥光源研制的一套横向(x, y方向)高频、宽带逐束团测量和反馈系统,以及抑制耦合束团不稳定性的初步实验。其中重点介绍了在该系统研制过程中所涉及的部分关键技术：矢量运算模块的开发使得反馈系统的调试简易方便;Notch滤波器用于滤除反馈信号中的直流分量以及回旋频率分量,节省反馈功率;激励条带的研制。初步的反馈实验结果表明：反馈系统开启后不稳定性振荡得到抑制。     

基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器

利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲,采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构,包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100ns、重复频率20kHz、峰值电流60A、峰值电压2kV的功率脉冲。     

CH2和CH3分子在金属团簇Cun(n=1～6)上吸附性质

以σ-羟基环氧化合物作为模型化合物, 利用密度泛函中B3LYP/6-31G(d,p)的方法研究了三乙基铝促进的环氧化合物的重排还原有机串联反应机理. 根据乙烯消去和六元环重排顺序的不同可有两条可能的反应路径,路径I首先进行的是六元环的收缩重排,而且该步即决速步,能垒为116.62 kJ/mol;路径II中首先发生乙烯的消去然后进行六元环开环重排,开环反应步是该反应路径的决速步,相应的能垒为251.38 kJ/mol,如此高的能垒导致后续反应难于进行. 因此,路径I是更有利的反应路径,与实验结果一致.     

脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究

利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni_1-xFe_xO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni_1-xFe_xO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni_0.95Fe_0.05O中出现了少量的α-Fe₂O₃物相.X射线吸收近 关键词： 1-xFe_xO')" href="#">Ni_1-xFe_xO XANES 脉冲激光沉积方法     

添加Dy在快淬NdFeB永磁体中的作用

在之前研究Nb元素的添加对快淬(Nd,Dy)_11.5Fe_82.4-mNb_mB_6.1永磁体磁性能、温度特性及显微组织影响的基础上,进一步研究了Dy元素在Nd_11.5-nDy_nFe_81.4Nb₁B_6.1 (n＝0,0.5,1,1.5,2)永磁体中 关键词： NdFeB 磁性能 温度特性 显微组织 X-ray absorption fine structure     

Ca掺杂的CeO2模型催化剂的形貌和电子结构及其与CO2分子的相互作用

利用扫描隧道显微镜、X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了CeO₂(111),部分还原的CeO_2-x(111) (0＜x＜0.5)以及Ca掺杂的CeO₂模型催化剂的形貌、电子结构以及它们与CO₂分子间的相互作用。CeO₂(111)和部分还原的CeO_2-x(111)薄膜外延生长于Cu(111)单晶表面。不同Ca掺杂的CeO₂薄膜是通过在CeO₂(111)薄膜表面室温物理沉积金属Ca及随后真空退火到不同温度而得到的。不同的制备过程导致样品具有不同的表面组成,化学态和结构。CO₂吸附到CeO₂和部分还原的CeO_2-x表面后导致表面羧酸盐的形成。此外,相比于CeO₂表面,羧酸盐物种更易在部分还原的CeO_2-x表面生成,而且更加稳定。而在Ca掺杂的氧化铈薄膜表面,Ca²⁺离子的存在有利于CO₂的吸附,且探测到碳酸盐物种的形成。     

电子束光刻-近场全息法制作平焦场光栅的误差分析及补偿方法

在激光等离子体诊断等领域中,以平焦场光栅为核心器件的软X射线光谱仪发挥着重要作用。利用电子束光刻-近场全息法制作的平焦场光栅兼具电子束光刻线密度变化灵活,以及全息光栅低杂散光、抑制高次谐波等的特点。采用光线追迹方法分析电子束光刻-近场全息法制作平焦场光栅的主要制作误差对其光谱成像特性的影响。结果表明:电子束光刻制备熔石英掩模和近场全息图形转移过程的制作误差均会导致谱线展宽;以目前应用较多的软X射线平焦场光栅(中心线密度为2400line/mm、工作波段在0.8~6.0nm)为例,当熔石英掩模在光栅矢量方向的长度为50mm时,电子束光刻分区数目应保证在1500以上;熔石英掩模线密度偏差引入的谱线展宽可以通过调整近场全息制作参数来消除;确定了近场全息中的两个主要影响因素——熔石英掩模与光栅基底的间距和夹角;近场全息中各误差因素之间有相互补偿的效果,故除了尽可能消除制备过程中的每一种制作误差外,也可以通过优化不同误差之间的分配来降低制备误差。本研究对优化电子束直写掩模策略、降低掩模制作难度、设计和调整近场全息光路有重要帮助。     

低压实验对高压条件下燃烧动力学模型预测的约束

实际发动机燃烧室的一般处于几十个大气压,但是实验室中的燃烧实验条件难以达到实际应用的压力范围。很多燃烧反应动力学实验需要在常压下进行来保证实验数据的准确性。针对这个问题,本文提出利用相对准确的低压实验数据来约束高压下燃烧反应动力学模型预测的思路,并引入模型相似性分析方法和全局灵敏性分析方法,讨论了氢气和甲烷着火延迟时间,质量燃烧率和层流预混火焰组分摩尔分数在不同压力下的化学动力学关联,进一步计算了不同类型低压实验数据对高压下燃烧反应动力学模型预测的约束能力。计算结果表明,低压和高压下燃烧反应动力学模型预测有着密切的关联,相对准确的低压下的实验数据能够有效的减小高压下燃烧反应动力学模型预测误差。     

通过盐酸刻蚀和生长作用来选择性合成不同尺寸大小的金纳米团簇

Controllable syntheses of different-sized gold nanoclusters are of great significance for their fundamental science and practical applications.In this work,we achieve the controllable and selective syntheses of Au₇ and Au₁₃ clusters through adding HCl to the traditional Au₁₁ synthetic route at different reaction time.Time-dependent mass spectra and UVVis spectra were employed to monitor these two HCl-directed processes,and revealed the distinct roles of HCl as an etchant or a growth promotor,respectively.Furthermore,parallel experiments on independent synthetic routes involving only non-chlorine H⁺(acetic acid) or Cl^-(tetraethy lammonium chloride) instead of HCl were performed,which illustrated the main role of H⁺-etching and Cl^--assisted growth in HCl-directed cluster synthetic routes.We propose the HCl-etching is mainly achieved via the H⁺ action to break the Au (I)-PPh₃ part of clusters,while the HCl-promoted growth is realized via the attachment of Au-Cl species to the pre-formed clusters.