弯月面涂胶均匀性改进

针对大面积衍射光学元件制作过程中对光刻胶均匀涂覆的困难,研究弯月面均匀涂胶方法。利用沟槽型弯月面涂胶机,分析影响光刻胶厚度和厚度均匀性的因素。从实验上验证了光刻胶的胶厚和涂覆扫描速率的正相关关系。分析了光刻胶的浓度、基片与涂覆器刀口间隙、供胶速率等因素对胶厚及胶厚均匀性的影响。利用非接触式的激光微位移传感器监测基片和涂覆器刀口间隙,控制此间隙的抖动小于15μm,优化系统运行的稳定性,提升了弯月面涂覆胶厚的均匀性,实现了胶厚峰谷值偏差3%和标准偏差0.5%的均匀光刻胶涂覆,能够满足脉宽压缩光栅等制作过程中对光刻胶均匀涂覆的需求。     

宽带镀金正弦光栅

为了满足强激光系统中大尺寸镀金光栅对糟深均匀性的要求,采用梯形光栅-涂胶-离子束溅射镀膜和全息光刻-离子束溅射镀膜两种方法,分别制作了线密度为1 740线/mm,槽深为210 nm的宽带镀金正弦光栅.测得其TM波、-1级自准值平均衍射效率在750～850 nm范围内大于87％,最高可达90％.这两种方法易控制光栅槽深,去掉光刻胶后基底可继续使用,且制作的光栅的衍射效率和带宽能满足国内一般宽带镀金脉冲压缩光栅的使用要求.     

二甲基乙醚低温氧化中关键中间体(HOOCH2OC(=O)H)的分解反应机理

在QCISD(T)/CBS//B3LYP/6-311++G(d,p)方法的基础上计算了DME(二甲基乙醚)低温氧化的中间体HPMF(HOOCH₂OC(=O)H)的分解路径, 并且结合变分过渡态理论及RRKM/主方程求解了温度以及压力依赖的动力学速率. 计算结果表明,除了脱OH的直接解离路径之外,HPMF将经过异构分解生成甲酸及CH₂OO中间体. 新的动力学数据的结果证实了CH₂OO 路径是不容忽略的. 这条分解路径将会降低整个模型的低温氧化活性. 同时从化学本质上去分析了HPMF的化学结构以及电子效应,进一步解释及验证了计算结果的合理性.     

探索物质世界的利器——同步辐射

当近光速的带电粒子在磁场中转向时,沿运动轨迹的切线方向将会发出很窄的电磁辐射,这种高亮度的"光"称为同步辐射.同步辐射的波段范围从THz到远红外/红外,一直扩展到X射线/γ射线,其卓越的性能已经成为探索物质世界强有力的工具,在物理、化学、材料科学、生命科学、医学、纳米科技等领域获得了广泛的应用.本文就同步辐射的发光机制、特点及其应用作了简单的介绍,并结合我们课题组的两个研究实例展示了同步辐射的巨大潜力.     

(CH3I)n(n=1,2,3,4)的同步辐射光电离研究

用VUV同步辐射辐照在连续的超声射流冷却束中产生的（CH₃I)_n（n=1,2，3，4）团簇分子，通过测量其光电离及解离电离产生的各种离子的光电离效率（PIE）曲线，获得了（CH₃I)_n⁺（n=1，2，3，4）的绝热电离势及各种碎片离子的出现势，估算了有关分子的键能．在CH₃I⁺的PIＥ曲线上观察到CH₃I分子的自电离结构，并对其进行了标识，归属为收敛于CH₃I⁺（²E_1/2）态的4组Rydberg系，即ns，npσ，npπ和nd． 关键词：     

用X射线旋进照相研究(Bi_(2-x)Pb_x)Sr_2CuO_y(0.1≤x≤0.6)晶体结构

关键词：     

亚稳态fcc-Mn薄膜的生长及其同步辐射光电子能谱研究

报道亚稳态fcc-Mn薄膜在衬底温度为400K的GaAs(001)表面成功外延的结果.进而利用同步辐射光电子能谱研究该fcc-Mn薄膜随厚度变化的过程.从实验上得到fcc-Mn占有态的电子态密度分布,比较分析亚稳态的fcc-Mn相与热力学稳定的a-Mn相之间电子结构的显著差别,并给出可能的机制. 关键词：     

稀土金属Sm／Si（100）2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能…

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构。实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集，反应扩散和金属Ｓｍ膜生长。与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到了加强。     

离子束平动刻蚀工艺衍射光学元件的设计及制作

提出了一种用于制作二维光束整形衍射光学元件的新方法———离子束平动刻蚀工艺。分别介绍了利用这种新方法设计衍射光学元件的原理、设计过程以及刻蚀工艺系统的构成和掩模板的设计方法。结果表明 ,这种新的工艺方法不拘泥于圆对称系统 ,不但继承了离子束旋转刻蚀工艺的位相真正连续分布的优势 ,而且所制作出的衍射光学元件 ,即使对于半导体激光器所产生的两个方向发散角不同的激光束来说也仍然可以进行整形 ,并最终能得到矩形焦斑。这种工艺方法的理论设计也可以从二维化简为两个一维的设计 ,从而大大简化了设计计算的复杂程度     

一种新型、紧凑、高效电子直线加速器加速管的设计研究

对一个新型、紧凑、高效的电子直线加速器的加速管的设计,进行了等阻抗与等梯度两种结构的比较研究.对于使用一个5MW速调管的能量和相位经过选择的用毕束流注入到两种加速管的情况应用Parmela程序进行了模拟计算.说明宜于加工和调试的等阻抗加速管更为适宜.最后,简单地讨论了如用更高功率(如30MW?,相应加速能量约为30MeV)的速调管用毕束流作为这种新型加速器的注入束时,等阻抗加速结构除了在设计、加工、调试中的简单易行外,同时模拟结果表明整个加速管无需外加横向聚焦磁场.