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101.
根据光波耦合方程及亮-暗孤子对解,对稳态情况下多束互不相干的光束在有外加电场的双光子非光伏光折变晶体中的传播进行分析,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子族需满足的条件。证明有外加电场双光子非光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗混合屏蔽孤子族,孤子族由偏振态和波长都相同的多束互不相干的光形成。当外加电场方向和晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍大于暗孤子族总峰值光强的的非相干耦合亮-暗混合孤子族,当外加电场方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍小于暗孤子族总峰值光强的非相干耦合亮-暗混合孤子族。 相似文献
102.
研究了2,3-四-(2-异丙基一5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300 K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200 nm厚)在300 K下光致发光光谱.氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300 K下出现了1 673 nm激基缔合物峰.该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300 K激基缔合物峰比在177 K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因.随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强.由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1 140 nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大.浇铸膜的发光峰的半高宽为300 nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100 nm左右. 相似文献
103.
在溶剂热条件下,合成了2个基于V型辅助配体(bipmo、bppmo)的镉配位聚合物{[Cd (bipmo)(NDC)]·1.75H2O}n(1)和{[Cd (bppmo)(NDC)(H2O)]·H2O}n(2),其中H2NDC=2,6-萘二羧酸,bipmo=双(4-(1H-咪唑-1-基)苯基)甲酮,bppmo=双(4-(吡啶-4-基)苯基)甲酮。利用单晶X射线衍射、键价和分析、红外光谱和元素分析对其结构进行了表征。研究发现,配合物1具有二重互穿的{63}拓扑结构。配合物2同样是3-连接的{63}拓扑,却存在三重穿插结构。分析表明,V型配体对最终结构的形成有很大影响。此外,对配合物1和2的发光性质也进行了详细研究。 相似文献
104.
基于刚性苯多羧酸H4BPTC (联苯-3,3'',5,5''-四甲酸),构筑了一例孔壁修饰高密度自由羧基氧的三维刚性锌基金属有机骨架:{[Zn2(BPTC)(H2O)(DMF)2]·DMF·H2O}n(SXNU-5-Zn)。SXNU-5-Zn具有好的酸碱稳定性(pH=3~8)和热稳定性。以SXNU-5-Zn构建了基于纯MOFs材料的电化学传感器(SXNU-5-Zn/GCE),其可高灵敏、选择性的检测对乙酰氨基酚(AC),检测的线性范围宽(0.02~765 μmol·L-1),检测限低至0.013 8 μmol·L-1(S/N=3)。此外,所制备的SXNU-5-Zn/GCE传感器已成功应用于实际样品复方对乙酰氨基酚片中AC含量的检测。 相似文献
105.
通过溶剂热法合成了3个锌的配位聚合物{[Zn2(bipmo)2(ipa)2]·3H2O}n(1)、{[Zn (bipmo)(5-OH-ipa)]·DMA·H2O}n(2)和{[Zn (bipmo)(5-Me-ipa)]·H2O}n(3),其中bipmo=双(4-(1H-咪唑-1-基)苯基)甲酮,H2ipa=间苯二甲酸,5-OH-ipaH2=5-羟基间苯二甲酸,5-Me-ipaH2=5-甲基间苯二甲酸。用元素分析、红外光谱和单晶X射线衍射等技术对结构进行了表征。单晶X射线衍射分析表明,配合物1具有二重互穿的{44·62}二维网络结构,配合物2则是{65·8}拓扑的二维结构,配合物3却表现为二维的{63}拓扑网络。间苯二甲酸上5-位取代基的不同对最终的结构形成有重要的影响。此外,对化合物1~3的发光性质也进行了详细研究。 相似文献
106.
SH波在正交各向异性功能梯度无限长条中心裂缝处的散射 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了正交各向异性功能梯度材料无限长条中心裂缝对SH波的散射问题,为方便起见,材料两个方向的剪切模量和密度假定为指数模型.通过Fourier积分变换,将问题转化为对偶积分方程的求解.然后,用Cop-son方法求解对偶积分方程,定义了标准动应力强度因子,通过数值算例,讨论了在SH波作用下,裂缝尖端的标准动应力强度因子与入射波的频率、材料参数之间的关系. 相似文献
107.
李思殿 《高等学校化学学报》1994,15(1):108
多体展开势能函数研究表明,Si4-Si16原子簇分子间的结构衍生关系为:依次增加一个二配位或三配位的表面原子,分子表面被四元蝶形环Si4(D2d)所覆盖;Sin(n=5-16)结构中多含有Si5(D3h)、Si6(D2d)区域结构单元,笼状Si10及Si16的表面原子均为三配位或三配位以上,预计Si5、Si6、Si10及Si16是硅原子簇碎片化产物分布中丰度较高的序列;在这一范围内的分子结构呈与晶体硅结构(金刚石)无关的密堆积,最高配位数为5,在小于半球的立体角内形成六配位的硅中心,使该簇合物在能量上不稳定。 相似文献
108.
109.
110.