一类时滞抛物型偏微分方程解的振动性质

在本文中，我们在不同边界条件下得到了一类具连续分布时滞抛物型偏微分方程解的振动性判据．     

一种简易的单纯形表

通过对单纯形法的分析和研究,提出了一种简易的单纯形表,并利用矩形法则进行计算而得到一种改进的单纯形法.结果表明该法简单易行,并减少了计算量和存储量.     

微分电位溶出分析法应用于金膜电极的研究

本文介绍将微分电位溶出分析法应用于金膜电极,建立了相应的理论体系和应用条件。可使用的金膜厚度在1.8×10~(-7)～4.3×10~(-7)cm范围。检测限较原法降低近两个数量极。用本法测定花生乳中的铜,回收率在94～102%间。     

考虑随机弱化二阶效应的电缆流变断裂学分析

将电缆视作为ｎ股子束构成的线束，而每股子束由ｍ个平行的受拉元件组成，受拉元件就是渍于树脂基体的聚合物肌绳。未破坏的元件在任一时刻都按照某种规律承载，表现出电缆断裂对持载时间和载荷特征的相依性，从而，电缆的断裂是一个非平衡态不可逆热力学相容的一个非线性动力学演化假设下，我们考虑单个元件受载断裂与线束受载的关系。认识到元件的数目一一大时，线事的破坏时间是近正态分析的。     

延迟微分方程单支θ方法的非线性稳定性

本文讨论了一类延迟量满足Lipschitz条件且最小Lipschitz常数小于 1的非线性变延迟微分方程初值问题 ,得到了带线性插值的单支θ方法的非线性稳定性结果     

POISSON单

本文给出了Poisson单的定义,讨论了它的基本性质、刻划及其在射线上导出的过程。     

带非线性源项的Riesz回火分数阶扩散方程的预估校正方法

本文针对带非线性源项的Riesz回火分数阶扩散方程,利用预估校正方法离散时间偏导数,并用修正的二阶Lubich回火差分算子逼近Riesz空间回火的分数阶偏导数,构造出一类新的数值格式.给出了数值格式在一定条件下的稳定性与收敛性分析,且该格式的时间与空间收敛阶均为二阶.数值试验表明数值方法是有效的.     

不同能量质子辐照诱发CCD图像传感器性能退化实验与分析

为了评估电荷耦合器件(CCD)在空间科学探测以及航天卫星成像等空间辐射环境中应用的可靠性,揭示了CCD转换增益以及线性饱和输出等重要性能参数的退化机制及其实验规律。辐照实验在质子回旋加速器上进行,质子能量为60 MeV和100 MeV,质子注量分别为1×10¹⁰ cm^-2、5×10¹⁰ cm^-2和1×10¹¹ cm^-2。将CCD的主要性能参数在两个不同能量质子辐照后进行比较,实验结果表明,CCD的性能参数对质子辐照产生的电离损伤和位移损伤非常敏感,辐照后转换增益和线性饱和输出明显下降,且暗信号尖峰和暗电流明显增大。此外,分析了质子辐照CCD诱发的电离损伤和位移损伤,给出了CCD性能参数退化与质子辐照能量和注量的变化关系曲线。     

增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究

针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×10¹² p/cm²)剂量的⁶⁰Co γ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因.     

蠕变断裂应力强度因子理论及其在混凝土断裂分析中的应用

本文用蠕变断裂应力强度因子理论来研究混凝土裂纹体的蠕变断裂问题.