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51.
NdxCo4Sb12化合物的快速合成及其热电性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用机械合金化和放电等离子烧结(MA-SPS)技术成功合成了NdxCo4Sb12化合物热电材料. 借助于先进的结构和性能表征手段, 系统研究了NdxCo4Sb12化合物成相和热电性能. 实验结果表明, NdxCo4Sb12化合物中稀土Nd的最佳添加量为x=1.0. Nd1.0Co4Sb12化合物具有较高的热电性能, 其中在400 ℃时具有最大ZT值0.265.  相似文献   
52.
C60薄膜的离子注入损伤研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
邹云娟  严辉  陈光华  金运范  杨茹 《物理学报》1998,47(11):1923-1927
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果. 关键词:  相似文献   
53.
基于Sagnac光纤干涉仪的管道泄漏检测和定位技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
杭利军  何存富  吴斌 《光学技术》2007,33(5):651-653
研制了一种基于Sagnac干涉仪的分布式光纤传感器,可实时进行管道泄漏检测与定位.阐述了该传感技术的工作原理和泄漏点定位方法,并推导了泄漏引起的光信号相位变化表达式。管道泄漏实验结果表明,水压为0.3MPa时,该技术能有效地检测到管道泄漏的发生并准确定位。  相似文献   
54.
MgF2单晶的THz光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用THz时域光谱技术对MgF2晶体(样品1)和MgF2:Co晶体(样品2)在0.5—2.5 THz的吸收特性进行了研究.在0.5—2.5 THz波段,样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大,最大值为24 cm-1.样品2的吸收系数比样品1大得多,Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动,而且样品2在1.9 THz有吸收峰,吸收系数达到70 cm-1,由此求出F--Co2+离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10-2 N/cm.这一结果表明,THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5—2.5 THz的介电函数的实部ε1(ν),得到样品1的ε1(ν)值在4.67至4.73之间,样品2的ε1(ν)值在4.62至5.01之间. 关键词: THz辐射 光谱 2晶体')" href="#">MgF2晶体  相似文献   
55.
钨酸锌晶体的受激拉曼散射和光致发光研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用皮秒532nm 激光激发,研究了ZnWO4晶体的受激拉曼散射和本征荧光发射.在SRS光谱中观察到一级(558.7nm)和二级(588.6nm)斯托克斯光,线宽分别为130和77cm-1, 一级斯托克斯光的抽运阈值为6.8mJ.在532nm激光抽运下ZnWO4晶体的荧光光谱呈现出由能量为2.30,2.45和2.83eV的3个高斯分量组成的独特结构.光致发光表明晶体具有从400nm到650nm的宽带本征发光,其峰值波长为472.0nm,相应于钨氧之间的辐射跃迁. 关键词: 晶体 钨酸锌 受激拉曼散射 闪烁体  相似文献   
56.
污垢热阻动态监测装置及其传热计算方法的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了污垢热阻动态监测装置的构成及特点.根据传热学基本原理,对该套装置进行了光滑管对流换热性能测试,结果表明两侧流体热平衡最大偏差小于10%,实验结果与经验公式计算的Nu数相吻合,其最大偏差小于l0%.用该装置进行换热表面污垢的动态自动监测,可以得出准确可靠的实验结果.  相似文献   
57.
光折变材料的带隙结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用光子晶体的概念和时域有限差分方法计算了当光折变材料的空间折射率呈一维正弦变化时其内部的带隙结构情况,表明在光折变材料中存在极窄的光子带隙。最后讨论了折射率(n)、折射率调制幅度(△n)、周期长度(D)及周期数(N)对光子带隙的影响。  相似文献   
58.
侯碧辉  周茜  段苹  苏少奎  毛圣成  韩晓东 《物理学报》2007,56(12):7170-7175
研究Ti-50.8at%Ni合金在马氏体-奥氏体相变温度附近的电磁性质.由M-H曲线分析了传导电子的顺磁性以及少量局域电子引起的铁磁性.在M-T曲线中,降温曲线在180K附近有突降,升温曲线在230K附近有突升.在电阻率测量中,降温和升温的ρ-T曲线也有类似的突变.升温过程的质量热容cp曲线在230K附近出现了由奥氏体相变引起的跳跃.这些实验结果表明,样品的马氏体相变温度约 关键词: TiNi合金 电磁性质 马氏体-奥氏体相变 质量热容  相似文献   
59.
用于双色全息存储(Fe,Cu)∶LiNbO3晶体的参量优化计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
在确定Cu在LiNbO3晶体中对应于365 nm和633 nm的激发系数、复合系数、光伏系数的基础上,采用龙格库塔(Runge-Kutta)数值方法理论研究了双掺杂(Fe,Cu)∶LiNbO3晶体的深浅能级的掺杂组分比、氧化还原状态对双色全息存储的记录灵敏度和动态范围的影响,并探讨了同时取得尽可能大的灵敏度和动态范围的晶体条件。结果表明,为了同时得到较大的记录灵敏度和动态范围,在实际应用中选用浅能级掺杂浓度为5.0×1025m-3,深能级掺杂浓度为3×1024~3×1025m-3之间的弱氧化晶体是合适的。  相似文献   
60.
光折变聚合物具有良好的光折变效应,采用以惰性聚合物PMMA为基体,掺杂偶氮化合物染料的光折变聚合物具有较好的光学非线性和稳定性。文章主要介绍使用激光拉曼光谱仪对合成聚合物的各单体和聚合物薄膜进行拉曼光谱扫描,对比分析各个单体成分的特征谱峰与聚合物薄膜特征谱峰,肯定了实验中得到的光折变聚合物薄膜与理论上要求得到的一致性。  相似文献   
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