溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

以正硅酸乙酯(TEOS)为原料，采用旋转涂敷的方法，结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO₂薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性，傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH₃键，从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌，发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值，发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明，在300 ℃时介电常数最低达2.05. 关键词： 2')" href="#">多孔SiO₂ 低介电常数 溶胶-凝胶     

γ射线与N离子辐照类金刚石薄膜的机理研究

对类金刚石 (以下简称 DLC)薄膜受 γ射线与 N离子辐照的结果进行了比较 .通过 Raman光谱分析得出 :γ射线辐照造成薄膜中 SP3C— H和 SP2C— H键的减少及 SP3C— C键的增加 ,与此同时氢原子结合成氢分子 ,并从膜中释出 ,薄膜的类金刚石特征更加明显.当辐照剂量达1 0×104Gy时 ,SP3C—H键减少了约 5 0 % .N离子辐照使 DLC薄膜中 SP3C— C键、SP2 C—H键及 SP3C—H键的含量均变少 ,并伴随着氢分子的释出 ,直接导致 DLC薄膜的进一步石墨化,其对 SP3C—H及 SP2C— H键的破坏程度远大于γ射线 .两者在辐照机理上截然不同.The results of the diamond like carbon films(the following is called for short DLC film) irradiated by γ rays and N ion were reported. It showed that SP 3C—H and SP 2C—H bonds were decreased, and SP 3C—C bonds were increased by γ ray irradiation, and induced hydrogen recombination with H 2 molecules, and subsequently released from the surface of the films. When the γ ray irradiation dose reached 10×104Gy, the numbers of SP3C—H bonds were decreased by about 50%...     

14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应的研究

讨论了14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应对测量结果的影响,同时列出了常用的一些监督反应及参数,利用截面的评价值给出了一些监督反应的截面随中子能量变化的关系曲线,并对^27Al（n,p）^27Mg反应做了定性分析,说明了监督反应的选取对反应截面测量的重要性。 It was discussed in this article that the effects of different monitors in the cross section measurements of nuclear reactions induced by 14 MeV neutrons, at the same time some monitors and correlative parameters were listed. The excitation functions of monitors are taken from the evaluatied cross sections, and a qualitative analysis has been performed for ^27Al（n,p） ^27Mg reaction. It indicates that the choice of monitor is very important for cross section measurements     

1.30-2.21MeV质子在硅上的160°散射截面测量

采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪 .实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区 ,测量结果与以前发表的结果进行了比较 .所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考 . The elastic backscattering cross sections of H + from silicon for a wide energy range are very useful parameters in the proton backscattering analysis for investigating silicon content and distribution profiles in the films. It is necessary to measure the scattering cross sections with good accuracy at a large scattering angle for the applications of proton backscattering analysis. The present paper reports our measured results of differential elastic backscattering cross sections of 1.30-2.21 MeV...     

混沌系统中可预报性的研究

针对简化的气候模式、Rossler吸引子和超混沌系统,进一步阐明了不确定原理,在数值求解时由于计算机固有精度而引起的舍入误差,造成对解的不确定性,存在最优步长和最大有效计算时间.运用自忆性原理,导出了各混沌系统的自忆性方程,取最优步长时,其预报性能有明显的改善 关键词： 自忆性 不确定原理 最优步长     

多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

报道用SiF₄和H₂的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm^-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm^-1. 关键词： 多晶硅薄膜 低温生长 表面生长反应 外加偏压     

157,159Tm基态附近性质的研究

利用可变转动惯量的三轴粒子-转子模型研究了^157,159Tm低激发正宇称态的性质,理论值和实验值比较好的符合表明¹⁵⁷Tm和¹⁵⁹Tm是三轴形变核,指出实验还给出了¹⁵⁷Tm另一条激发转动带.     

激子模型中复杂粒子出射几率公式的一个修改

本文采取区分中子质子的态密度公式, 给出了复杂粒子出射几率W_αβ和纯组合几率R_αβ修正公式的一个推导. 计算结果与实验的拟合, 比文献[1][2]有较明显的改善.     

铀的离子交换反应——Ⅶ.盐酸—甲醇、盐酸—丙醇混合介质中铀(Ⅳ)在强碱性阴离子交换树脂与溶液之间分配的研究

本文研究了盐酸—甲醇、盐酸—丙醇两种混合介质中U(Ⅳ)在201×7强碱性阴离子交换树脂与溶液之间的分配,测定了不同条件下U(Ⅳ)的分配比;分别用可见吸收光谱和红外吸收光谱研究了U(Ⅳ)在溶液相和树脂相中的化学状态。结果表明,有机溶液的存在可使U(Ⅳ)的分配比明显提高,但不影响其在树脂相中的化学状态。     

用示波器测量脉冲磁导率

引言在雷达和冶炼及计算机等技术中,许多软磁性材料被用来制作脉冲磁器件的铁芯,如何检验软磁材料在脉冲磁化条件下的性能早就引起人们的特别重视。实验表明,软磁铁芯在脉冲作用期间,容易产生强大的涡电流。涡电流是一种纯电动力学效应,按理可以用麦克斯威方程求解,但由于脉冲波形较复杂,求解困难。因此,软磁材料在脉冲磁化条件下的性能,主要靠测量来确定。若涡电流较大,会引起软磁铁芯温度的急剧上升,使铁芯性能改变;而且脉冲作用的时间仅为微秒(或毫微秒的数量级),脉冲波形又为非理想的矩形波,故一般不易测准,若采用脉冲示波器测量还较理想。