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介绍狭缝摄影和以PC/104作平台的狭缝摄影控制系统的工作原理,给出了控制系统硬件组成及软件设计方法。  相似文献   
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64.
采用原位拉曼光谱技术研究方波电位循环氧化还原 (ORC)过程中产生的铂氧化物的还原过程 ,其中过氧化物和超氧化物消失的电位在 0 2V左右 ,晶格氧化物和氧化铂则分别消失在 0V和 -0 2 5V左右。我们还初步探讨了不同还原电位下形成的铂电极表面纳米微粒对甲醇电催化活性的影响  相似文献   
65.
合肥光源逐圈束流位置监测系统中的定时系统   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
定时系统是合肥光源逐圈束流位置监测和相空间测量系统中的重要组成部分,其主要目的是为数据采集卡提供与环内电子束团同步的时钟信号。该系统包含高速ECL时钟成形、分频电路、程控延时电路、控制模块等部分。可实现延时范围0~220ns,最小延时步距0.5ns,调整精度0.1ns,时钟抖动小于200ps。系统控制软件基于客户/服务器结构,操作灵活、方便。  相似文献   
66.
PbTe的高温高压合成   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
 以高温高压为手段,在4~5GPa压力和700~1 200 K温度条件下,成功地合成出了PbTe。对合成样品进行了X射线测试分析,结果表明,合成的PbTe样品是具有NaCl结构的多晶,而PbTe的取向随着合成压力的升高发生变化。扫描电镜分析结果显示:高压合成的PbTe样品,其晶粒有了明显的取向;电阻率比常压样品低1~2个数量级,并随合成压力的升高而降低;热导率也同时低于常压合成的PbTe样品。以上结果说明,高压合成方法是改善材料性能的重要手段。  相似文献   
67.
Zusammenfassung Unter gewissen Bedingungen liefern die für die Berechnung der Eigenwerte einer homogenen Maschine mit Zusatzdrehmassen maßgebenden transzendenten Gleichungen bei alleiniger Berücksichtigung der reellen Lösungen zu wenig Eigenfrequenzen. Die fehlenden Frequenzen — es handelt sich hierbei stets um die höchsten — erhält man aus den komplexen Lösungen. Es werden, unter Beschränkung auf eine oder zwei Zusatzmassen, die Bedingungen untersucht, bei denen komplexe Eigenwerte auftreten, und die in diesen Fällen geltenden Gleichungen für die Eigenfrequenzen, Momente und Drehwinkel abgeleitet. Neben dem Verhältnis der Trägheitsmomente ist auch dasjenige der Federkonstanten für das Auftreten komplexer Lösungen von Bedeutung, so daß solche, wie man aus den zuständigen Bedingungsgleichungen ersieht, auch bei sehr großen Zusatzmassen vorkommen können. Man kann übrigens zeigen, daß beim Vorhandensein von z Zusatzmassen maximal z komplexe Eigenwerte möglich sind.Es sei hier noch vermerkt, daß sich die gewonnenen Ergebnisse analog auf homogene Schwingungsketten mit Zusatzmassen an den Enden übertragen lassen.  相似文献   
68.
    
Zusammenfassung Ein Verfahren der »cathodicstripping«-Voltammetrie wird beschrieben zur simultanen Bestimmung von Selen und Tellur im Bereich von 0,2–20 ppb Selen und 0,2–50 ppb Tellur. Die elektrolytische Anreicherung erfolgt potentiostatisch bei –0,4V (SCE) aus (NH4)2SO4-haltiger Grundlösung (pH 4,5) in Gegenwart von ÄDTA und CuCl2 an einem hängenden Quecksilbertropfen. Das Verfahren ist weitgehend störungsfrei und ermöglicht auch die Einzelbestimmung des Selens bzw. Tellurs in Gegenwart eines 104-fachen Überschusses des anderen Partners.
On the simultaneous determination of selenium and tellurium in the low ppb-range by cathodic stripping voltammetry
Summary A cathodic-stripping voltammetric procedure for the determination of selenium and tellurium in the range of 0.2–20 ppb and 0.2–50ppb, respectively, is described. The electrolytical preconcentration on a hanging Hg-droplet is effected potentiostatically at –0.4 V (SCE) from a supporting electrolyte containing (NH4)2SO4 (pH4.5), in the presence of EDTA and CuCl2. The procedure is substantially free of interferences and enables also the single determination of selenium and tellurium in the presence of a 104-fold excess of the corresponding concomitant element.
Die Arbeit wurde in dankenswerter Weise mit Sachmitteln der Deutschen Forschungsgemeinschaft, Bonn-Bad Godesberg, unterstützt.  相似文献   
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