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51.
52.
NA序列部分和的矩完全收敛性 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论了NA序列部分和的矩完全收敛性,在一定条件下获得了NA序列矩完全收敛的充要条件,显示了矩完全收敛和矩条件之间的关系,将独立同分布随机变量序列矩完全收敛的结果推广到NA序列,得到了与独立随机变量序列情形类似的结果. 相似文献
53.
新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
54.
55.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
56.
57.
研制了一种适用于平行板传输连接的平面火花隙三电极开关,开关正负电极为半圆形状,触发电极为细条状。将之替代立体式(半球形电极)火花隙三电极开关并应用于爆炸箔起爆装置中,装置回路参数将得以优化。实验测试了空气间隙为4.12, 3.14和2.2 mm的平面火花隙三电极开关的性能。结果表明,在开关间隙间距一定的情况下,随着电压的升高,开关间隙的放电时延和分散时间呈指数降低,开关电感小于15 nH;对于不同范围内的应用电压,使用不同间隙间距的开关,其分散时间不大于10 ns。该开关应用于较低充电电压(小于10 kV)的脉冲功率装置中,与立体式火花隙三电极开关相比,回路电感降低了约50 nH,放电周期缩短近1/3,峰值电流增加约1/3。 相似文献
58.
59.
ZHAO Ren ZHANG Li-Chun HU Shuang-Qi 《理论物理通讯》2006,46(10)
We generalize the method that is used to study corrections to Cardy-Verlinde formula due to generalized uncertainty principle and discuss corrections to Cardy-Verlinde formula due to generalized uncertainty principle in (anti)-de Sitter space. Because in de Sitter black hole spacetime the radiation temperature of the black hole horizon is different from the one of the cosmological horizon, this spacetime is a thermodynamical non-equilibrium spacetime. 相似文献
60.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献