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NA序列部分和的矩完全收敛性 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论了NA序列部分和的矩完全收敛性,在一定条件下获得了NA序列矩完全收敛的充要条件,显示了矩完全收敛和矩条件之间的关系,将独立同分布随机变量序列矩完全收敛的结果推广到NA序列,得到了与独立随机变量序列情形类似的结果. 相似文献
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利用一类周期性变系数线性常微分方程解的基本矩阵的Jordan形,分析一类非线性相对转动系统扭转的运动稳定性,从而得到非线性相对转动周期系统的运动稳定准则. 运用Lyapunov函数法,对广泛存在的一类机械传动系统的相对转动运动的平衡稳定位置的稳定域进行研究,并给出数学解析表达式. 这为工程中广泛存在的这类机械传动系统稳定工作区间工作参数的选取和相似模拟提供了理论依据及方法,据此可进一步分析和评价大型复杂旋转机械主传动系统的扭振稳定性.
关键词:
相对转动
相似模拟
运动稳定
平衡稳定 相似文献
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针对低场磁共振成像系统,该文设计了一种紧凑灵活的信号接收方案,实现对多通道磁共振信号的高速采样与直接数字解调. 系统采用高速模数转换器(A/D)对磁共振信号直接采样;以单片数字下变频器(DDC)--AD6636, 完成4路采样信号的数字解调;以数字信号处理器(DSP)作为控制器,实现对AD6636的配置以及I/Q数据的读取. 信号采样频率可达100 MSPS,适用于1 T以下的系统. 实验证明该设计具有结构紧凑,采样速率高,配置方便快速,滤波器设计丰富灵活等特点,为磁共振成像谱仪的研制提供了一种高性能的信号接收方案. 相似文献
5.
Hydrothermal synthesis and dielectric properties of chrysanthemum-like ZnO particles 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
By orthogonal design theory, technological parameters of
chrysanthemum-like ZnO particles prepared in a hydrothermal process
are optimized. This paper reports a set of technological
parameters for growing chrysanthemum-like ZnO particles on a large
scale. It investigates the morphologies and crystalline structures
of the as-synthesized three-dimensional ZnO particles with a scanning
electron microscope, x-ray diffractometer and transmission electron
microscope, and the possible growth mechanism on the three-dimensional ZnO
particles. The experimental results indicate that the values of
ε', ε ' and \tan δe gradually
increase in the X band with the improvement of the developmental level
of chrysanthemum-like ZnO particles, implying that the
electromagnetic wave absorbing property depends on the morphologies
of three-dimensional ZnO particles. 相似文献
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pH敏感高分子是智能高分子的重要分支, 基于其体积、质量或者弹性等参数随pH值变化的性质, 可以应用在生物、化学和微/纳机械等多个领域. 现有研究多集中在应用领域, 缺乏从更深层次的机理上的研究, 因此亟需在分子水平上对pH敏感高分子的环境敏感机理进行研究. 本工作基于控制变量实验法, 利用基于原子力显微镜的单分子力谱技术(SMFS)对pH敏感型高分子聚丙烯酸(PAA)在pH变化前后的单分子力学弹性进行对比研究. 结果表明, 随着pH值增加, PAA单链构象经历了从塌缩到完全伸展的改变, 并获得了不同构象之间的能量差, 由此提出了一种全新的分子马达(开关)的设计概念. 本工作的研究结果有望为设计多重响应新型聚合物和智能传感器提供理论基础和数据支持. 相似文献
8.
Low pressure metalorganic chemical vapour deposition (LP-MOCVD)
growth and characteristics of InAsSb on (100) GaSb substrates are
investigated. Mirror-like surfaces with a minimum lattice mismatch
are obtained. The samples are studied by photoluminescence spectra,
and the output is 3.17μm in wavelength. The surface of InAsSb
epilayer shows that its morphological feature is dependent on buffer
layer. With an InAs buffer layer used, the best surface is obtained.
The InAsSb film shows to be of n-type conduction with an electron
concentration of 8.52×1016cm-3. 相似文献
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