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61.
自Tanaka等1982年提出模糊回归概念以来,该问题已得到广泛的研究。作为主要估计方法之一的模糊最小二乘估计以其与统计最小二乘估计的密切联系更受到人们的重视。本文依据适当定义的两个模糊数之间的距离,提出了模糊线性回归模型的一个约束最小二乘估计方法,该方法不仅能使估计的模糊参数的宽度具有非负性而且估计的模糊参数的中心线与传统的最小二乘估计相一致。最后,通过数值例子说明了所提方法的具体应用。 相似文献
62.
LI Yu-qiong SUN Zhen-rong ZHANG Shi-an YANG Xi-hua WANG Zu-geng. Key Laboratory of Optical Magnetic Resonance Spectroscopy 《光谱学与光谱分析》2006,26(8):1395-1395
The authors achieved the temporal coherent control in an Er^3+ doped telluride glass, one kind of disordered solids. The upconversion at 670 nm was modulated and the dephasing time was simulated as 300 fs. Moreover, the photon echo signal gave the dephasing time due to the phonon interaction. The agreement between the two data indicates that the interaction between the wavepacket and the phonon leads to the fast disappearance of wavepackets interference, which is helpful for the tech- nique to be applied to the disordered solids. 相似文献
63.
报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×1020cm-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。 相似文献
64.
65.
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 相似文献
66.
67.
本文在一类 Lp位势V(x)下建立了广义Schrodinger算子H=(-Δ)m+V(x)在C∞0(Rn)上的本质自伴性,给出了H的本质谱的分布. 相似文献
68.
首先在Contingent切锥意义下界定了Banach空间中非空集合的伪切锥和伪凸性的概念,并讨论了相应的性质,然后针对可微优化问题,在广义凸性假设下,建立了最优性条件。 相似文献
69.
设E为一个可数集,Q=(qi,j;i,j∈E)为E×E上的矩阵,满足m为E上的概率分布满足何时存在Q过程,使得m是它的不变分布? 这个问题由Williams(1979)作为一个开问题提出.文[15]对全稳定情形,解决了这个问题;本文对单瞬时情形,完整地解决了该问题. 相似文献
70.