碰撞能量对He-N2的散射截面的影响

用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.     

高压电场作用下乙醇-水溶液体系变化红外光谱分析

本文报道了用红外光谱分析电磁场作用下乙醇 水溶液体系变化情况。分析结果表明 :当乙醇溶液受到 2 0kV·cm- 1 的交变电磁场处理 (5 0Hz)时 ,分子之间的氢键缔合先增大后减少 ;高乙醇含量溶液受到同样强度电场较长时间处理时 ,有乙醇发生氧化反应 ,从红外谱中可看到νCO 峰及ν(OH) (H2 O) 峰的出现 ;经处理后的溶液自然放置 7天再测定 ,其红外谱图基本保持不变。文中对各出现变化的峰进行了分析 ,并对其机理进行了推导     

Duffing方程的唯三周期解问题

考虑Duffing方程x+g(x,t)=h(t),在g(x,t)满足简单的凸凹性条件。以及g＇(x,t)跨越第一共振点时,本文指出,当强迫振动项h(t)充分小时,所讨论的Duffing方程的2π周期解恰有三个.     

类Kerr介质中双模SU(1,1)相干态场与Λ型三能级原子相互作用的量子统计性质

导出了类Kerr介质中双模SU(1,1)相干态场与Λ型三能级原子相互作用系统的态函数,研究了Kerr效应对Λ型三能级原子布居概率、双模SU(1,1)相干态场的互关联函数、Cauchy-Schwartz不等式及二阶相干度的影响.结果表明:Kerr效应使原子与光场的耦合减弱,原子布居的崩塌与复苏的周期缩短;在初始光场较弱和较强两种情况下,类Kerr介质对双模SU(1,1)相干态场两模间的相关性、相关程度以及光子的聚束与反聚束效应产生的作用有明显的区别.     

注重内涵,以创新求跨越,持续发展,建设国家物理学基础科学人才培养基地——中国科学技术大学国家物理学基础科学人才培养基地建设总结

介绍了中国科学技术大学国家物理学基础科学人才培养基地的建设经验.基地传承了“科学与技术、科研与教学、理论与实践”相结合的中国科学技术大学办学特色,充分发挥基地物理学科门类齐全、学风优良、师资力量雄厚的综合优势,以培养具有宽厚知识、创新能力和探索精神的创新人才为目标,对物理理论课和物理实验课课程体系、教学内容、教学方法等方面作了全面的改革,取得了显著成果.     

正态分布下任意秩有限总体中的Minimax预测

对于任意秩有限总体,在二次损失下,有关文献已给出了线性可预测变量在齐次线性预测类中的唯一线性Minimax预测．本文在正态假设下,证明了这个线性Minimax预测也是线性可预测变量在一切预测类中的唯一Minimax预测．     

Synthesis of a Novel Aromatic Diamino-bridged Bis（β-cyclodextrin） and its Inclusion Complexation with Dyes Molecules

Bridged bis(β-cyclodextrin)s (CDs), as a very important family of CD derivatives, have been known that they can significantly alter the molecular binding ability and selectivity toward a variety of guests in comparison with parent cyclodextrin. Their two…     

Concurrence and Wigner-Yanase Skew Information

A measure of entanglement on n qubits is defined in terms of Wigner-Yanase skew information. It is shown that the measure coincides essentially with the concurrence on two qubits. This uncovers the information-theoretic meaning of the concurrence of entangled states.     

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

多段构件组成的压杆平面内稳定

分析由若干段等截面或者变截面构件组成的压杆平面内稳定问题．从由三段等截面构件组成的压杆平面内稳定问题出发，对两端为变截面、中间为等截面构件组成的压杆的平面内稳定问题进行了分析，得出和两端为等截面构件情况类似的屈曲荷载计算公式．并对两端固接的情况进行了研究分析．