High field magnetization of Y2Co7 and YCo3 hydrides

The magnetization curves for the Y₂Co₇H_x and the YCo₃H_x systems have been measured at 4.2 K in the pulsed high magnetic fields up to 280 kOe. The metamagnetic transition is observed in the β and the γ hydrides except for Y₂Co₇H₃ and YCo₃H₁, which is interpreted in terms of the itinerant electron metamagnetism.     

LiF插层对有机发光二极管磁场效应的调控

制备了有LiF插层的有机发光二极管,以八羟基喹啉铝（Alq₃）作为电子传输层,N, N′-二苯基-N, N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）作为空穴传输层.通过改变Alq₃与NPB间LiF插层的厚度,研究了不同温度下器件的光电特性及电致发光的磁场效应.测量结果表明:LiF插层可以影响器件内部载流子的输运和激发态的形成.较厚的插层阻碍了空穴的传输,使器件的电流效率变低.但实验中发现, 关键词： LiF插层结构 磁场效应 三重态激子     

低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10^-2 cm²/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 k栅介质')" href="#">高k栅介质     

Fluent数值模拟在制冷与空调领域中的应用

Fluent软件是流体力学中通用性较强的一种商业CFD软件,应用范围很广。主要介绍Fluent在制冷与空调中的应用。Fluent模拟适用于制冷领域等现代技术对过程模拟的要求,同时满足现代化生产设计,是制冷与空调设计的一个重要发展方向。阐述了Fluent模拟仿真在制冷领域的现状及发展概况;重点对Fluent在工艺过程中的模拟作了介绍。利用模型复现实际系统中发生的本质过程,并通过对系统模型的实验来研究存在的或设计中的系统。     

照度对测量三代微光像增强器MTF的影响分析

通过探讨像增强器MTF测试仪用光源的出射光照度对测量结果的影响,对透过测量狭缝的光强分布进行了分析.调节狭缝面的入射光照度,对不同照度作用下的调制传递函数进行了对比测量,经与微光像增强器的饱和输出亮度比较,得出:三代微光像增强器的MTF测试值随入射光照度分布呈抛物线分布,其最大值与微光像增强器的自动亮度控制特性有关.适当选择入射光照度,可确保被测像增强器既有足够的输出信噪比,而不进入饱和区域.     

基于形态学成分分析的静态极光图像分类算法

为了解决海量极光图像手工分类效率低下的问题,提出一种静态极光图像自动分类系统,使用形态学成分分析将极光纹理从复杂背景中分离出来,从纹理中提取特征并利用支持向量机进行分类.实验结果表明:该算法分类正确率较之于传统方法均提高约10%,当分类器支持向量机+线性核函数时,分类速度最快,最适合于海量数据的处理.     

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.     

飞秒脉冲通过多层体光栅后的衍射光强分布

基于单层体光栅的耦合波理论和矩阵光学知识,推导出飞秒脉冲通过多层体光栅衍射后的耦合波方程,并由此得到衍射光强谱和瞬时衍射效率表达式.研究结果发现衍射光强谱和瞬时衍射光强分布是与多层体光栅的结构参量,如中间填充层厚度、光栅层厚度、光栅常量及体光栅材料的折射率调制度有关系的.通过调节这些参量,获得了不同形状和不同宽度的衍射脉冲.该结果可用于设计基于多层体光栅的光通信和光脉冲整形器件.     

Simulation of growing GaN in vertical HVPE reactor

The paper reports the setting up of a model of fluid dynamic for GaN HVPE system and the simulation. It is found that when the direction of gravity is opposite to the direction of GaCl flow inlet,there exits a distance at which the uniformity of the deposition is optimal. Here the good uniformity of the deposition is obtained when the distance between the substrate and GaCl inlet is 5 cm. The parameters of gas flow used in growing GaN are also optimized. In addition, the influence of gravity and buoyancy on...     

Observation of B(+)-->phiphiK(+) and evidence for B(0)-->phiphiK(0) below eta(c) threshold

We report measurements of the decays B(+)-->phiphiK(+) and B(0)-->phiphiK(0) using a sample of 231 x 10(6) BB pairs collected with the BABAR detector at the PEP-II asymmetric-energy B factory at the Stanford Linear Accelerator Center. The branching fractions are measured to be B(B(+)-->phiphiK(+))=(7.5+/-1.0(stat)+/-0.7(syst)) x 10(-6) and B(B(0)-->phiphiK(0))=(4.1(-1.4)(+1.7)(stat)+/-0.4(syst)) x 10(-6) for a phiphi invariant mass below 2.85 GeV/c(2).