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针对差频产生太赫兹(THz)辐射转换效率低的缺点,提出了级联差频的新机理以提高转换效率,并以ZnTe晶体为例,对级联差频产生THz辐射的原理和过程进行了理论研究.通过对级联差频耦合波方程组的求解,得出了ZnTe晶体中级联差频的最佳抽运条件和ZnTe晶体的最佳长度,并且分析了晶体吸收、波矢失配及抽运强度对级联差频的影响.计算结果表明,通过级联差频可以大大提高THz波的转换效率,其光子转换效率甚至可以超过Manley-Rowe关系的限制.
关键词:
太赫兹辐射
差频
级联
ZnTe晶体 相似文献
5.
基于受激电磁耦子散射原理,采用已报道的利用非线性光学参量振荡方法产生可调谐太赫兹波的实验条件作为理论分析的实验模型,以GaAs,GaP, InP,ZnTe晶体为代表,计算分析了在闪锌矿晶体中参量振荡产生太赫兹波的吸收、增益特性,对输出THz波的调谐特性给出了详尽分析.分析太赫兹波高效耦合输出的腔型结构,并与掺氧化镁铌酸锂晶体组成的太赫兹波参量振荡器做对比.
关键词:
太赫兹波
太赫兹波参量振荡
电磁耦子
闪锌矿晶体 相似文献
6.
利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zno95Cd0.05Te<110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ>102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ>106Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变化对晶体的THz辐射性能也有重要的影响.因此,当ZnCdTe晶体用于THz辐射产生和探测时,仅仅用材料的Hall电阻率不能完全表征器件的性能. 相似文献
7.
利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zn0.95Cd0.05Te〈110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ>102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ>106 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变
关键词:
THz
ZnCdTe
时域光谱 相似文献
8.
借助抽运-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹(THz)辐射,利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布,观察到了较窄(约为0.2 ps)的THz场分布及相应较宽(响应超过4 THz,半峰宽约为2.4 THz)的THz频谱,并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合. 研究了飞秒激光脉冲波长(750—850 nm)、脉冲宽度(56—225 fs)和晶体旋转与THz辐射产生的关系. 同时改变探测光偏振方向进行偏振调制,并从理论上分析了偏振调制对THz辐射探测的影响.
关键词:
THz辐射
光学整流
电光探测
ZnTe 相似文献
9.
基于非线性光学频率变换理论,采用已报道的利用非线性光学差频方法产生可调谐太赫兹波的实验条件作为理论分析的实验模型,计算模拟出在不同相位匹配条件下,GaSe和ZnGeP2晶体差频的相位匹配角、走离角、允许角和有效非线性系数,并对计算结果进行了分析比较,总结出对应输出不同太赫兹波长的最佳相位匹配方式.计算结果为利用非线性晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的实验研究提供深入和全面的理论基础.
关键词:
太赫兹波
GaSe晶体
2晶体')" href="#">ZnGeP2晶体
差频 相似文献