直流外电场诱导的MgI高里德堡态的混合

在直流外电场存在时,观察到MgI的经双光子禁戒跃迁3s~2 ~1S→3mp ~(1P)的多光子电离和倍频效应并解释为外电场引起的里德堡(Rydberg)态之间轨道角动量的混合.实验结果与理论解释一致.     

Y(Mn1-xCox)12磁结构的中子衍射分析

在研究Y(Mn_1-xCo_x)₁₂晶体结构的基础上,为了分析这种化合物的磁结构,我们挑选了不同成分的试样,在液氮温度下作了中子衍射测量。实验上测到的磁有序超结构峰可以用YMn₁₂单胞指标化为h十k+l=2n+1。使用各种可能的磁结构模型对数据进行了分析,根据计算强度与观测强度的最佳拟合,得出了Y(Mn_1-xCo_x)₁₂的磁结构随x变化的某些结论。 关键词：     

储存环高频剔除系统

 介绍了用于电子储存环部分填充和非均匀填充的一种实验装置,它利用储存环中电子运动所具有的横向自由振荡和束团脉冲的时间结构这一特性,采用外加激励的方法使其产生共振,从而使得储存环中部分束团中的电子丢失,形成储存环的部分填充和非均匀填充。还扼要介绍了用高频剔除系统在储存环上实现不同填充方式时的束流积累结果。     

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm，偏置电压设置为 45 V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83，处于 2~26范围内，其对应的原电子能量约为980 eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。     

CMOS星敏感器光学系统的设计

基于对恒星星表V/50的统计,在确保一定捕获概率的前提下,确定了星敏感器光学系统的视场角和所能探测的极限星等,在此基础上,结合所选用的STAR-250CMOS探测器的性能,在保证一定信噪比的前提下,确定了光学系统的通光孔径、焦距、工作光谱范围和中心波长、弥散元大小等主要参数。以改进双高斯型结构为初始结构,在ZE-MAX平台上实现了具有良好像质的大孔径(F/1.198)、大视场(22.6°)、宽光谱范围(0.5μm~0.8μm)的光学系统的设计,满足了对弥散斑、能量集中度等的特殊要求。     

稀有类铥铋离子辐射光谱的相对论识别

用全相对论多组态自洽场方法,计算了高离化类铥铋原子BiXV的1s、2s、2p-、2p、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p、6d-、6d、6f-、6f、6g-、6g、7s、7p-、7p、7d-、7d、7f-、7f、7g-、7g、8s、8p-、8p、8d-、8d轨道的2249个精细结构能级和辐射寿命以及其他各种跃迁参数.能级和波长的计算值和实验值符合得好.另外还发现了一些辐射寿命较长的亚稳态能级.     

《高分子物理》有效教学的几点体会

《高分子物理》作为高分子专业的重要基础课,存在大量的概念、公式、假设等抽象的知识点。如何有效地教授高分子物理,为学生顺利进入高分子专业的进一步学习打下基础,成为教研人员的关注焦点。本文基于赫尔巴特提出的学习认知过程的五步骤理论和建构主义的观点,阐述了知识的系统性在教学中的重要性;强调了新知识与背景知识的结合以及新知识的应用、教授过程的趣味性等教学方法的重要性。希望通过以上多种方法的综合运用提高学生的学习兴趣和学习效果,达到有效教学的目的。