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This paper describes several combinatorial models for Laguerre, Charlier, and Hermite polynomials, and uses them to prove combinatorially some classical formulas. The so-called “Italian limit formula” (from Laguerre to Hermite), the Appel identity for Hermite polynomials, and the two Sheffer identities for Laguerre and Charlier polynomials are proved. We also give bijective proofs of the three-term recurrences. These three families form the bottom triangle in R. Askey's chart classifying hypergeometric orthogonal polynomials. 相似文献
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采用密度泛函方法(B3P86)对 Fe_2分子结构进行了优化.计算结果中未观察到自旋污染,基态波函数与高态波函数并未混杂,结果表明,Fe_2中有8个未配对电子,这些电子空间分布不同和自旋平行产生的自旋极化效应,使 Fe_2能量最低.计算结果表明,Fe_2分子的基态是~9∑_g~ ,并非~7Δ_u,进而表明 Fe_2的自旋平行效应比电子自旋配对效应要强.计算得到该分子基态的二阶、三阶和四阶力常数分别为1.4115×10~(-2)aJ/nm~2、-37.1751×10~3aJ/nm~3和 98.7596×10~4aJ/nm~4;光谱数据ω_eχ_e、B_e、α_e分别为0.3522、0.0345、 0.4963×10~(-4)cm~(-1);离解能为3.5522eV,平衡键长为0.2137nm,振动频率为292.914cm~(-1);并得到了 Murrel-Sorbie 函数. 相似文献
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本文讨论中立型大系统,获得了这类问题稳定性的一些充分判据,作为特殊情况,还得到了与[1-11]中相应的一些不同的结果.这些结果并不象文献[1]和[2]那样,要求a_(ii)的上界q_(ii)小于零. 相似文献
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This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
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