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91.
Qin Jiang 《Journal of Mathematical Analysis and Applications》2007,328(1):380-389
Some solvability conditions of periodic and subharmonic solutions are obtained for a class of subquadratic nonautonomous second-order Hamiltonian systems by the minimax methods in critical point theory. 相似文献
92.
93.
94.
Z.J. Liu H.H. Long W.C. Ye X.X. Zou Z.L. Qin E.P. Li J.S. Chen 《Journal of magnetism and magnetic materials》2006
In this paper, specific issues related to high-density perpendicular magnetic recording processes, such as transition noise properties and cross-track correlation lengths, were investigated with the help of micromagnetic analysis. The effects of media parameters were taken into consideration, including intergranular exchange coupling, and exchange distribution, irregular grain shapes, magnetization saturation distribution, and anisotropy distribution. The micromagnetic simulation results showed that the effect of anisotropy distribution on transition noise is more significant than magnetization saturation distribution, and it is crucial to reduce this effect to achieve a high signal-to-noise ratio. Additionally, a new method to further estimate the partial erasure threshold was proposed to approximate the partial erasure effects, and the relation between the microtrack jitter and total track jitter was investigated. 相似文献
95.
Yong-Goo Yoo Seong-Gi Min Ho-Jun Ryu Nam-Seok Park Seong-Cho Yu 《Journal of magnetism and magnetic materials》2006
Exchange biased IrMn/NiFe/IrMn thin films were studied as a function of NiFe thickness. In plane angular dependence of a resonance field distribution which is measured by FMR was analyzed as a combined effect of an unidirectional anisotropy and an uniaxial anisotropy. The unidirectional anisotropic field and the uniaxial anisotropic field were linearly varied with NiFe thickness while the films with a thicker NiFe layer do not follow the linear variation. Resonance field and linewidth variations were also analysed with NiFe thickness. 相似文献
96.
设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列.序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究.本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论. 相似文献
97.
A mistake concerning the ultra LI-ideal of a lattice implication algebra is pointed out, and some new sufficient and necessary conditions for an LI-ideal to be an ultra LI-ideal are given. Moreover, the notion of an LI-ideal is extended to MTL-algebras, the notions of a (prime, ultra, obstinate, Boolean) LI-ideal and an ILI-ideal of an MTL-algebra are introduced, some important examples are given, and the following notions are proved to be equivalent in MTL-algebra: (1) prime proper LI-ideal and Boolean LI-ideal, (2) prime proper LI-ideal and ILI-ideal, (3) proper obstinate LI-ideal, (4) ultra LI-ideal.
This work was supported by the Zhejiang Provincial Natural Science Foundation of China (Grant No. Y605389) and K. C. Wong
Magna Fund in Ningbo University. 相似文献
98.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
99.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
100.