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61.
根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域. 相似文献
62.
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词:
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱 相似文献
63.
64.
Hua Ning LIU Wen Peng ZHANG 《数学学报(英文版)》2007,23(5):915-924
The main purpose of this paper is to use the generalized Bernoulli numbers, Gauss sums and the mean value theorems of Dirichlet L-functions between a quadratic residue and its inverse modulo p value formula. to study the asymptotic property of the difference (a prime), and to give an interesting hybrid mean 相似文献
65.
FANG Qi LEI Hong CUI Yuezhi HUANG Zhenli XUE Gang & YU Wentao . State Key Laboratory of Crystal Materials Shandong University Jinan China . School of Information Science Engineering Shandong University Jinan China . Department of Chemical Engineering Light Industry College of Shandong Jinan China . Key Laboratory of Biomedical Photonics Ministry of Education Huazhong University of Science Technology Wuhan China 《中国科学B辑(英文版)》2005,48(3)
Organic nonlinear optics (NLO) is also called mo-lecular nonlinear optics. In recent years organic mate-rials have been intensively studied because of their large NLO coefficients and structural diversities[1―3]. Second harmonic generation (SHG) is a bas… 相似文献
66.
By introducing the conception "relativistic differential Galois group" for the second order polynomial systems, we establish the relation between the conformal relativistic differential Galois group and the subgroup of M(o)bius transformations, and prove that the system is integrable in the sense of Liouville if its conformal relativistic differential Galois group is solvable with a derived length at most 2. Some omissions on the structures of solvable subgroups of M(o)bius transformations at the first author's article published in this journal in 1996 are refreshed in this paper. 相似文献
67.
Measurement of small-signal and large-signal responses of packaged laser modules at high temperature
Ning Hua Zhu Ji Min Wen Hai Peng Song Shang Jian Zhang Liang Xie 《Optical and Quantum Electronics》2006,38(15):1245-1257
In this paper, the pulsed injection method is extended to measure the chip temperature of various packaged laser modules,
such as the DFB laser modules, the FP laser modules, and the EML laser modules. An optimal injection condition is obtained
by investigating the dependence of the lasing wavelength on the width and period of the injection pulse in a relatively wide
temperature range. The small-signal frequency responses and large-signal performances of packaged laser modules at different
chip temperature are measured. The adiabatic small-signal modulation characteristics of packaged LD are first extracted. In
the large-signal measurement, the effects of chip temperature, bias current and driving signal on the performances of the
laser modules are discussed. It has been found that the large-signal performances of the EML modules depend on the different
red-shift speeds of the DFB and EAM sections as chip temperature varying, and the optimal characteristics may be achieved
at higher temperature. 相似文献
68.
69.
应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强. 相似文献
70.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献