过硫酸盐紫外氧化-非分散红外吸收法测定水中痕量总有机碳

采用Ｐｈｏｅｎｉｘ８０００总有机碳分析仪,以ＵＶ－Ｎａ２Ｓ２Ｏ８－ＮＤＩＲ氧化波了水中痕量机碳（ＴＯＣ）。讨论了酸度、氧化剂浓度、有机物氧化效果、无机碳对测定结果的影响等。方法检出限为０．００２４ｍｇ／Ｌ,回收率为９４．０％￣１１２％,精密度０．８￣５．３％。该法已应用于湖水、河水、自来水、地下水、泉水等自然水体及纯净水、蒸馏水、反渗透（ＲＯ）净化水特瓣总有机碳含量的测定。     

自粘结低硅铝X型沸石的结构、吸附和N_2/O_2分离比

用原位合成方法直接将高岭土转化为所需形状的低硅X型沸石(PLSX),经X衍射,~(29)Si,~(27)AI MAS NMR谱证实PLSX的结构硅铝比接近1,它含LSX的组成为40.40%,含4A的组成为17.92%,其余为无定形硅、铝氧化物.LSX的骨架硅铝比接近1,是骨架负电荷分配最均匀的X型沸石,293K时静态法测定和推算ISX的饱和吸附水达39.80wt%,LSX的组成为Na(96-x)K_x(Al_(96)S_i(96)O_(384))·310H_2O,是吸附量高、价廉的吸水剂.PLSX对空气中氮氧的分离系数为α(N_2/O_2)=3.15,高于用于PSA的商品5A的α(N_2/O_2)=2.33和已报道的13X的α(N_2/O_2)=2.36.PLSX也是一种极好的吸附分离剂.     

含烯烃配体的过渡金属配合物的研究IV: 钼和铬的环庚三烯二羰基[乙氧基(芳基)卡宾]配合物的合成和晶体结构

选择了含奇数碳的环状共轭三烯配体的环庚三烯三羰基钼和铬,在低温下与芳基锂反应,并用Et3OBF4烷基化,得到组成为H8(CO)2MoC(OC2H5)Ar的四个化合物与一个黑色结晶:C7H8(CO)2Cr(OC2H5)H4CF3-P.用元素分析、光谱分析、X射线晶体结构测定研究了它们的结构.     

HL—1M中性束注入系统研制及中性束加热初步实验

ＨＬ－１Ｍ 中性束注入系统是在国家“八六三计划”的支持下,由中俄合作研制的。介绍了中性束注入系统及其各个子系统的性能参数及调试结果,给出了中性束加热的初步实验结果     

α-氯代丙烯酸甲酯和α-氟代丙烯酸甲酯的合成

合成了α-氯代丙烯酸甲酯和α-氟代丙烯酸甲酯两种单体,其结构经IR和^1H NMR表征。     

ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响

采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 .计算得到 (ET) 2 C3 H5SO3 ·H2 O ,(ET) 2 HgCl3 ·TCE两个晶体的带隙分别为0 5 79,0 .5 72eV ,与实验得到的导电激活能 0 .3 19,0 .3 0 8eV符合较好 .     

使固态化学反应100%完成的方法

无溶液形成的固态化学反应具有“一旦发生,就必完全”的特质,但因为固体的非流动性,它常常会因严重的传质困难而有始无终。为了克服这个困难,作者提出了少溶剂固态化学反应(LSR)的概念,即通过使用少量的溶剂赋予固体流动性,使反应物固体部分溶解,再使用搅拌反应器解决其“三传”问题,使之完全反应,从而达到使一些化学工业过程绿色化的目的。本文用平衡热力学数值计算的方法图解了几种代表性LSR的Gibbs自由能随反应进度的关系,进而指出：(ⅰ) LSR的中间阶段如同没有溶液形成的固态化学反应,两端像溶液化学反应,因此,LSR虽继承了混合自由能导致的化学平衡,但其平衡点比溶液化学反应更接近100%完全。特别地,在LSR即将结束时,通过逐步移除溶剂以使反应物和产物固体持续存在而延长中段,能推动反应达到100%完全;(ⅱ)对于连串反应,LSR仍有可能通过控制反应物的物质的量之比来获得中间产物;(ⅲ)对于Δ_rG_m^Θ略小于零的反应,可以通过使用较多的溶剂跨越可能的早期平衡态,或者使用大量的产物固体“种子”使所有的产物一直与其饱和溶液平衡,最终通过逐渐蒸发溶剂推动反应进行到底;(ⅳ) LSR的反应速度与反应物或产物的溶解度关系不大,但与反应物的溶解速度、化学反应速度和产物的结晶速度紧密相关。本文还讨论了使一些竞争反应、非自发反应进行到底的方法,获得高度的反应控制能力。     

近代海积软土结构性及弹-塑性模型研究

土的结构性数学模型是 2 1世纪土力学的核心问题。本文分析了近代海积软土的结构性以及其塑性体应变硬化和塑性偏应变硬化的机制 ,建立了弹塑性本构模型 ,模型采用了具有双硬化参数的屈服轨迹及含结构性参数 m的塑性应变方程。     

High-Frequency ac Conductivity of Hot Electrons in Bulk Semiconductors

On the basis of the balance-eq uation transport theory we have carried out a detailed calculation of the small-signal high-frequency conductivity for n-doped bulk GaAs systems under a de bias. Contributions from impurity and phonon scatterings are taken into account. Attention has been paid to the role of electron bulk plasma modes, which give rise to a significant deviation of the high-frequency conductivity from the Drude formula at low dc bias. It is pointed that when the dc bias increases the plasma effect is suppressed by the rise of the electron temperature while the role of the electron temperature oscillation enhances, leading to an appreciable peak in the real part of the conductivity at low frequency.