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81.
在氩气气氛和1173 K保温条件下对La0.63 Gd0.2 Mg0.17Ni3.1 Co0.3 Al0.1储氢合金进行不同时间(t=8 ~168 h)的热处理,采用电感耦合等离子发射光谱(ICP)、X射线衍射(XRD)、电子探针显微分析方法(EPMA)和电化学测试分析方法对比研究了退火时间对合金显微组织演化和电化学性能的影响.研究结果表明,铸态合金组织由Ce2 Ni7型、Gd2Co7型、Pr5 Co19型、PuNi3型和CaCu5型相组成,其Ce2 Ni7型相的丰度为78.9%,随退火时间的延长,退火合金中Ce2 Ni7型相的丰度逐渐增加,当退火时间t=168 h时其相丰度达到94.5%,Ce2 Ni7型相结构的晶胞参数和晶胞体积随退火时间增加而减小.电化学测试分析表明,退火合金电极的电化学性能与Ce2 Ni7型相的丰度有密切关系,退火时间对合金电极的活化性能影响不大,但合金电极放电容量随退火时间的延长逐渐提高,当t=168 h时,合金电极放电容量达到最大值386.8mAh·g-1;退火时间对合金电极循环稳定性的提高和改善有不同程度的影响,当退火时间t=16~168 h时,经100次充放电循环后,其电极容量保持率S100=90.3%~91.5%.热处理能有效改善合金电极电化学反应的动力学性能,但不同退火时间对合金电极的高倍率放电性能影响不明显. 相似文献
82.
83.
Let H be a finite-dimensional weak Hopf algebra and A a left H-module algebra with its invariant subalgebra A~H.We prove that the smash product A#H is an A-ring with a grouplike character, and give a criterion for A#H to be Frobenius over A. Using the theory of A-rings, we mainly construct a Morita context connecting the smash product A#H and the invariant subalgebra A~H , which generalizes the corresponding results obtained by Cohen, Fischman and Montgomery. 相似文献
84.
政策资源的运用是企业转型过程中不可或缺的方面,评价政策资源对企业转型的影响至关重要.鉴于此,以我国中小企业板块61家已转型上市企业为研究对象,收集其转型前后各3年数据,考察政策资源对企业转型的影响.通过构建多元线性回归分析模型和实证研究发现,政府补助和税收优惠对企业转型起积极作用,而信贷优惠对企业转型的作用并不明显.最后从政府的视角就制定、监管、创新政策,以及从企业视角就使用政策和利用政策资源不足等方面提出建议. 相似文献
85.
采用自适应核学习相关向量机方法, 结合形态学滤波和Kallergi分簇标准, 研究了乳腺X线图像中微钙化点簇的处理. 首先将微钙化点检测看作一个监督学习问题, 然后应用自适应核学习相关向量机作为分类器判断图像中每一个位置是否为微钙化点并采用形态学处理滤除干扰噪声, 最后对获得的微钙化点采用Kallergi标准进行分簇. 为提高运算速度, 在微钙化点检测时将整个图像分解为多个子图像并行运算, 实现了一种基于自适应核学习相关向量机的微钙化点簇快速处理方法. 实验结果和分析表明, 自适应核学习相关向量机方法算法性能优于相关向量机方法, 特别是实现的快速方法能进一步降低微钙化点簇的处理时间.
关键词:
乳腺X线图像
微钙化点簇
相关向量机
自适应核学习 相似文献
86.
矩阵方程X-A~*X~qA=Q(q>0)的Hermite正定解 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了矩阵方程X-A*XqA=Q(q>0)的Hermite正定解,给出了q>1时解存在的必要条件,存在区间,以及迭代求解的方法.证明了0
相似文献
87.
88.
通过MATLAB工程计算软件,采用步长法、二分法、迭代法和黄金分割法等多种方法.求解了二元理想体系的泡露点问题.结果表明,几种计算值都能与手算值吻合地很好.相对误差远远小于1%,完全满足工程要求;用MATLAB内部函数Solve计算最为便捷. 相似文献
89.
90.
Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Cu(In, Ga)Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu(In,Ga)Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu(In, Ga)Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized. 相似文献