全文获取类型
收费全文 | 210篇 |
免费 | 48篇 |
国内免费 | 56篇 |
专业分类
化学 | 149篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 9篇 |
综合类 | 5篇 |
数学 | 14篇 |
物理学 | 135篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 9篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 22篇 |
2013年 | 19篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 21篇 |
2010年 | 18篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 14篇 |
2007年 | 15篇 |
2006年 | 20篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 11篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
排序方式: 共有314条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage. 相似文献
22.
23.
24.
基于多组态Dirac-Fock理论方法和冲量近似, 对Xe54+与Xe在197 MeV/u碰撞能量下, 炮弹离子的俘获及退激发过程进行了理论研究. 计算了炮弹离子从中性靶原子俘获一个电子到nl (n=1, 2, 3, 4, 5; l=s, p, d) 轨道上的辐射电子俘获截面和相应的辐射光子能量, 以及俘获末态退激发辐射跃迁的能量和概率. 结合这些计算结果, 进一步模拟了碰撞产生的炮弹离子的退激发X射线谱的结构, 并与兰州重离子加速器装置上的最新实验观测结果进行了比较, 符合得很好. 相似文献
25.
26.
27.
28.
根据新型电离层斜向返回探测系统的编码调相脉冲压缩、间隔收发体制,采用FPGA和数字上变频器实现了一种适合该体制的、基于VXI总线的信号源模块.具体描述了该模块的设计方法、主要逻辑和时序关系,试验表明,该模块运行可靠,工作方式和参数调整灵活,实现了符合体制要求的射频信号和时序控制信号,满足了新型电离层斜向返回探测系统抗干扰、开放性和易升级的要求。 相似文献
30.