厄米-双曲正弦-高斯光束的M2因子

从二阶矩的定义出发,给出了一类新光束———厄光双曲正弦高斯(HShG)光束M2因子的解析公式,公式表明HShG光束的M2因子是光束阶数n和参数α的函数.作为本公式的特例,给出了厄光正弦高斯(HSiG)双束、双曲正弦高斯(ShG)光束以及正弦高斯(SiG)光束M2因子的解析公式.对HShG光束的束腰宽度、远场发散角及M2因子做了数值计算,并对所得结果作了分析. 关键词： 厄米-双曲正弦高斯光束 厄米-正弦-高斯(HSiG)光束 M2因子 二阶矩     

厄米-双曲正弦-高斯光束的M2因子

从二阶矩的定义出发,给出了一类新光束--厄光-双曲正弦-高斯(HShG)光束M2因子的解析公式,公式表明HShG光束的M2因子是光束阶数n和参数α的函数.作为本公式的特例,给出了厄光-正弦-高斯(HSiG)双束、双曲正弦-高斯(ShG)光束以及正弦-高斯(SiG)光束M2因子的解析公式.对HShG光束的束腰宽度、远场发散角及M2因子做了数值计算,并对所得结果作了分析.     

喇曼光谱对血糖的半定量分析

血糖检测一般采用酶化和生化方法,但这些方法都是有损破坏性的检测方法.本文利用喇曼光谱技术来检测血糖浓度,并且建一种新的数据分析方法来分析血糖的含量,以探索一种无损、快速的血糖检测方法.以小白鼠为实验模型,麻醉的小白鼠在注射葡萄糖后半个小时开始抽取小鼠尾巴处的血液进行喇曼光谱的获取,此后每间隔15 min对小鼠尾巴进行抽血并获取血液的喇曼光谱,在每次测量小鼠血液喇曼光谱的同时用血糖仪来监测血糖浓度的变化情况以用来做参比.1 125 cm^-1是葡萄糖的喇曼特征峰,血液中的葡萄糖称为血糖,因此我们把血液光谱中的1 125 cm^-1作为血糖峰,1 549 cm^-1为血红蛋白的喇曼特征峰,人体中的血红蛋白是稳定的,所以本文以血红蛋白的峰1 549 cm^-1作为内标来研究血液喇曼光谱中血糖峰的强度.结果表明1 125 cm^-1/1 549 cm^-1的变化可以很好地与血糖变化相对应,并且具有良好的线性关系.利用喇曼光谱技术可以无损地对血糖进行半定量分析.     

米曲霉GX0011β-果糖基转移酶光谱特性的研究

低聚果糖(Fructooligosaccharides,FOS)作为一种新型的功能性甜味剂、优良的食品添加剂,越来越受到人们的关注[1,2].     

含羧基嵌段的离聚体的合成及其性能研究

合成了羧基有序分布和羧基无序分布的两类光固化水性聚氨酯丙烯酸酯 (PUA)的离聚物 ,研究了其光固化反应动力学 ,并测定其预聚物分散液的性能和固化膜的性能。     

物理实验教学中引入不确定度的简化方案──三假设、二限制方案

本文报导了在物理实验中引入不确定度的一种简化教学方案──三假设、二限制方案，及其配套的教学安排；分析了该方案引入的条件、原则、要点与教学的直接目标，给出了计算合成不确定度σ的程序流图．     

张量对称类对多重多端口直积网络分析的应用

文献[1]首先提出了直积网络的概念并讨论了二重二端口直积网络.[2]讨论了二重n端口直积网络.本文讨论一般情况并将m重n端口直积网络的分析转化为n维线性空间的m重张量积空间的讨论.在更为宽广的条件之下,借助于张量对称类为一族诱导线性变换的一致不变子空间这一深刻事实,获得了覆盖[1,2]所得结论的关于信号通过直积网络传输的几个明确结果.     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．     

STUDY OF HALOGEN DOPING IN POLYCRYSTALLINE YBa2Cu3O7-δ

This paper presents systematically the doping effects of halogens in YBa₂Cu₃O_7-δ polycrystalline samples, with a series of concentrations of fluorine, chlorine, bromine or iodine. All samples were prepared by chemical method of citrate pyrolysis, which makes the halogen concentration in the samples more uniform. Samples doped with F have T_c as high as 94.5K, Cl, Br and I dopings also raise T_c to a certain extent. In addition, the influence of halogen doping on critical current density, morphology, constitution and so forth is discussed.     

B邻接片错误纠错码的最佳设计

给出B邻中国科学院计算技术研究所CAD实验室片错误纠错码的最佳设计,分析了其双字节错误的误纠概率,从而为码的实际应用提供了依据。