PLANT REGENERATION FROM IMMATURE COTYLEDONOUS TISSUE CULTURES OF SOYBEAN BY SOMATIC EMBRYOGENESIS

Genetic engineering of soybean is limited because of the difficulty of regeneration of plants via in vitro culture. Here we report that a method of obtaining somatic embryos and regenerated plants of soybean has been developed. It is achieved by culturing immature cotyledons of soybean on modified Murashige-Skoog medium supplemented with high concentration of either napthalene acetic acid (NAA) or 2,4-dichlorophenoxyacetic acid (2,4-D). High induction frequencies of 85% and 94% are reached by using 10mg/l NAA and 5mg/l 2,4-D, respectively. A number of regenerated plantlets of soybean are transplanted to sterilized soil and grown into 15 full plants in pots.     

再论集体次正规空间的逆极限

首先给出集体次正规空间的一组等价刻画.利用该组刻画证明:设X=lim{Xσ,πρσ,∑}并且每个投影映射πσ:X→Xσ是开满映射, (1)如果X是|∑|-仿紧的且每个Xσ是集体次正规空间,则X是正规集体次正规空间; (2)如果X是遗传|∑|-仿紧的且每个Xσ是遗传集体次正规空间,则X是遗传集体次正规空间.然后,在X=Ⅱα∈AXα是|A|-仿紧的条件下得到结果:X是集体次正规的当且仅当(?)F∈[A]<ω,Ⅱσ∈FXσ是集体次正规的,并且遗传集体次正规也有类似性质.     

激光光栅多普勒效应微小振动测量

为了提高测量微小振动的精度和动态范围，提出一种基于激光光栅多普勒效应的微振动测量系统。通过对差拍信号的频率分析，以峰值频率比值的方法可以排除干扰获得被测振动频率，找到振动的翻转点并判断振幅的大小；推导了在翻转点附近的微小位移与电压值的关系，对于小于计数当量值的位移由测量电压得到，提高了微小振动位移的测量精度以及系统测量的最小分辨率、动态范围。实验系统的频率范围为0．5～500Hz，振幅为20～10mm，相对误差小于1％，其动态范围大于100dB。     

举办物理实验复习展览的做法与体会

举办物理实验复习展览的做法与体会蒋祖林，邹莉华（湖北松滋一中）物理是一门以实验为基础的科学．随着物理教学改革的不断深人，各级测试把对学生物理实验能力的考查列人了测试范畴，并把对学生实验操作能力的考查成绩做为是否取得高中毕业会考合格证书和参加高考资格的...     

向量微分算子的自伴扩张

本文推广应用[2～4]的方法,讨论向量微分算子在一般情况下的自拌扩张问题,给出了形式对称向量微分表达式一切自拌扩张的直接而完全的描述,完善了[1]中的的结果。     

一类序保持系统解的收敛性

本文研究微分方程组ｘｉ＝Ｆｉ（ｘ１，…ｘｎ）（ｘ∈Ｒｎ＋）解的收敛性．如果该系统满足下列条件：（ｉ）Ｆ（Ｏ）Ｏ；（ｉ）Ｆｉ（ｘ１，…ｘｎ）关于ｘｋ是单调增的（ｋ≠ｉ）；（ｉｉ）Ｆ（ｘ＊ｇ（ｓ））ｈ（ｓ）＊Ｆ（ｘ）（０ｓ１），这里ｘ＊ｙ＝（ｘ１ｙ１，…ｘｎｙｎ），ｇ，ｈ：［０，１］→［０，１］ｎ满足ｇｉ（０）＝ｈｉ（０）＝Ｏ，ｇｉ（１）＝ｈｉ（１）＝１，Ｏ＜ｇｉ（ｓ），ｈｉ（ｓ）＜１，ｓ∈（０，１）；（ｉｖ）系统的每个解在Ｒｎ＋中有界，则每个解收敛于奇点．本文还把这一结果推广到离散的序保持动力系统．     

高耸结构锁定激励响应和极限风压研究

本文从升力振子模型着手,以国外试验数据为依据,详细研究了锁定现象的流固耦联作用机理和对应的高耸结构横向风振的主要形式——涡致锁定激励响应,提出了合理的响应计算方法。在这些研究基础上本文还讨论了横风向受力为主的一类高耸结构的破坏风荷载计算,该研究充分体现了锁定现象的非线性激振特性。     

用扫描隧道显微术实现室温下的单电子隧穿效应

单电子隧穿效应通常只能在低温下实现。最近，采用扫描隧道显微术在纳米尺度的范围内实现了室温单电子隧穿，清晰地观察到了库仑阻塞现象和库仑阶梯特性。这是单电子隧穿研究中的重大进展，将在简要叙术单电子隧穿物理过程的基础上予以介绍。