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11.
对CCD成像系统的AGC(Automatic Gain Control)、背光补偿、伽玛校正等信号处理过程进行了理论分析,在此基础上,讨论了CCD成像系统信号处理过程的仿真与参数优化方法,编写了相关仿真软件。实验结果表明:所讨论的方法能够实现CCD成像系统信号处理过程的软件仿真,并同时实现相关控制参数的优化。  相似文献   
12.
用Adomian分解法求解非线性轨道微分方程   总被引:2,自引:1,他引:1  
用Adomian分解法求解了质点在有心作用下的非线性轨道微分方程,进而得到了质点在任意初始条件下的高精度逼近轨道以及特殊初始条件下的精确轨道。  相似文献   
13.
胡建国  朱国强 《物理通报》2013,(4):10-12,14
滑动变阻器的限流和分压两种供电方式选择是恒定电流实验教学的重点和难点.利用Matlab对两种供电方式进行可视化探究,是物理教学和计算技术深度整合的一个尝试.  相似文献   
14.
微波消解-火焰原子吸收光度法分析蒙成药金属元素   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过对仪器参数进行优化,经过样品消解剂筛选,建立了测定蒙成药中Na, Zn, Cu, Fe, Mn, Ca, Mg七种元素的微波消解-火焰原子吸收光度法。方法的回收率在95.8%~104.3%之间,RSD值在1.9%~4.2%之间。为验证方法的可靠性,用该方法对国家标准物质灌木枝叶GSV-1进行了测试,测定值较好地吻合标准值。在样品前处理中采用微波消解技术,比传统的湿法具有操作简便、节约试剂、消解时间短、环境污染少等优点,是值得推广应用的样品处理方法之一。  相似文献   
15.
研究具有反应一扩散现象的三维种群生态动力系统的参数识别问题,依该系统正问题解的性质,建立了参数识别的数学模型;论证了系统正问题解关于待识别参数的连续依赖性与参数识别问题最优解的存在性。  相似文献   
16.
BAM荧光粉表面包膜处理及其发光性能   总被引:7,自引:5,他引:2  
马林  胡建国  王惠琴  徐燕 《发光学报》2003,24(5):523-526
为改进稀土三基色荧光粉尤其是BAM荧光粉的光衰问题,采用铝溶胶对BAM荧光粉粉体进行表面处理。获得了包覆氧化铝膜层的BAM粉。以SEM,XPS等方法对其表面形貌和组分进行测试,包覆率达到90%左右,且包覆膜层稳定。以未经包膜处理的BAM荧光粉作对照进行发光性能测试。测得包膜BAM粉的热稳定性得以改善。制成单色灯燃点试验后的光衰小于对照样品。对荧光粉表面吸附沉积的汞量变化进行检测。包膜BAM粉的含汞量小于未经包膜处理的对照样品。结果表明:对荧光粉进行表面包膜处理以保护粉体、提高热稳定性、降低光衰的研究工作是具有实际意义的。  相似文献   
17.
本文研究稀土离子Ce~(3+)和S~2型离子(Pb~(2+)和Sn~(2+))在β′-Al_2O_3型富钡相六角铝酸盐1.30BaO·6Al_2O_3中的发光性质。发射光谱和激发光谱表明,在富钡相中激活离子占据两个不等当的晶体学格位。Ce~(3+)激活的样品,发射光谱由四个带组成,其相对强度不依赖于激活离子的浓度,不同Ce~(3+)发光中心间没有能量传递。对于Pb~(2+)和Sn~(2+),在紫外激发下,荧光光谱包含三个带,Pb~(2+)的带峰值为390nm,425nm和485nm;Sn~(2+)为388nm,418nm和457nm。425nm和418nm发射分别归于占据晶体学BR格位的Pb~(2+)和Sn~(2+);390nm和388nm发射归于反BR格位上的Pb~(2+)和Sn~(2+);而485nm和457nm的带分别是Pb~(2+)和Sn~(2+)的离子对的发射。离子对是由占据(Ba)_nO镜面层上的BR和反BR格位的Pb~(2+)(或Sn~(2+))所形成。Pb~(2+)和Sn~(2+)离子的发光按照S~x型离子能级作了讨论。  相似文献   
18.
稀土三基色荧光粉的合成、性质及应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
自1942年至今,国内外荧光灯都以“卤粉”为主要发光材料,它的特点是光效高,但由于发射光谱在红色区域内辐射量不足,而蓝色辐射又过甚,致使荧光灯显色性较差,使被照射的实物颜色失真.前几年在卤粉中加入绿粉(硅酸锌锰)和红粉(锡激活的磷酸锶或锰激活的氟锗酸镁,砷酸镁等)使荧光灯的光色有较大的改进,但光效下降.长期以来光色和光效的矛盾,未能统一.  相似文献   
19.
高显色性稀土发光材料的研究   总被引:7,自引:3,他引:4  
高显色性荧光材料近年的发展颇受人关注,本文在采用新工艺合成稀土三基色荧光粉的基础上,合成了多种波段、结构稳定的荧光粉,弥补了可见区380~80nm的光色;除此之外,还对荧光粉进行表面处理,配制成荧光粉的显色指数大大提高,制灯后Ra>90。  相似文献   
20.
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