界面蛋白质分子结构与动力学的和频振动光谱研究

蛋白质与界面相互作用是自然界中一种非常普遍但又十分复杂的现象,其在物理、生物技术、化学工程、药物、环境科学等诸多领域中发挥着极其重要的作用。生物膜界面蛋白质的错误折叠引起的功能障碍与许多疾病的发生和发展直接相关。原位、实时、精确地表征界面蛋白质分子构象变化与动力学行为是揭示界面蛋白质功能的核心,对阐明与蛋白质聚集相关的神经退化型疾病的发生和发展机理非常重要。但目前对其结构与动力学的了解相当匮乏,蛋白质折叠仍是分子生物学中心法则中至今尚未解决的一个重大生物学问题。这主要是因为其表征技术不仅要求具有足够高的结构分辨度和时间分辨度,还需满足时间、空间、活体、非介入性等要求,但同时满足这些要求的技术甚少。而和频振动光谱是一种可以在分子层次上探测界面蛋白质分子结构与动力学的表征方法。本文详细介绍了和频振动光谱技术在界面蛋白质结构与动力学表征方面的应用。通过原位实时探测不同蛋白质骨架振动的酰胺Ⅰ,酰胺Ⅲ与酰胺A谱带,可以实现界面蛋白质分子结构、构象变化与动力学特征的精确测量,进而揭示蛋白质–细胞膜相互作用、蛋白质–蛋白质相互作用、蛋白质聚集的分子机理。本综述将为人们研究复杂界面体系物理与化学问题提供新的思路。     

对基于质点速度测量的拉格朗日分析法的进一步探讨

针对以往基于质点速度波形测量使用拉格朗日分析法反推材料动态力学性能时,需作某种简化假定或者必须同时实测应力边界,而在实验过程中的边界应力数据在某些情况下测不到或测不准的状况.因此基于路径线法和零初始条件,提出了一种改进的拉格朗日分析法,新方法可不涉及边界应力,直接反推出材料高应变率下的动态应力应变曲线.并且运用该方法对有机玻璃材料的动态性能进行了数值模拟研究分析,其结果与运用特征线法求得到的数据非常吻合,从而证实了该方法的可靠性和有效性.     

基于UG的STEP运动仿真函数对运动时间的控制分析

利用UG自带的STEP运动仿真函数可控制模型驱动的运动时间段,从而获得从动件在不同时间段运动变化规律的特点,分析了UG仿真模块中的运动控制函数,提出一种将运动函数模型转化为UG仿真模块内的STEP运动控制函数,以方便设计者更好地掌握机构的运动仿真变化规律.还阐述了在UG仿真模块中,如何使用STEP运动函数来控制曲柄摇杆机构运动时间以及对双摇杆机构在运动极限范围内的运动仿真.     

Effects of InGaN barriers with low indium content on internal quantum efficiency of blue InGaN multiple quantum wells

Blue In_0.2Ga_0.8N multiple quantum wells (MQWs) with In_xGa_{1 - x}N (x=0.01-0.04) barriers are grown by metal organic vapour phase epitaxy. The internal quantum efficiencies (IQEs) of these MQWs are studied in a way of temperature-dependent photoluminescence spectra. Furthermore, a 2-channel Arrhenius model is used to analyse the nonradiative recombination centres (NRCs). It is found that by adopting the InGaN barrier beneath the lowest well, it is possible to reduce the strain hence the NRCs in InGaN MQWs. By optimizing the thickness and the indium content of the InGaN barriers, the IQEs of InGaN/InGaN MQWs can be increased by about 2.5 times compared with conventional InGaN/GaN MQWs. On the other hand, the incorporation of indium atoms into the intermediate barriers between adjacent wells does not improve IQE obviously. In addition, the indium content of the intermediate barriers should match with that of the lowest barrier to avoid relaxation.     

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和Ga 关键词： AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷     

六元杂环分子电学特性的理论研究

在第一性原理基础上，利用弹性散射格林函数方法，研究了六元杂环分子结2,5-哒嗪二硫酚 、2,5-吡嗪二硫酚和2,5-嘧啶二硫酚的电子输运特性，分析了终端原子的选取对杂环分子吡 啶电学特性的影响. 利用分子前线轨道理论和微扰方法定量地确定了分子与金属的相互作用 能参数. 计算结果表明，2,5-哒嗪二硫酚具有较好的电学特性，而2,5-嘧啶二硫酚在外加电 压较低时电导值比较小. 对于吡啶分子，选取硒原子作为终端原子时，其导电特性优于分别 以氧原子和硫原子作为终端原子的情况. 关键词： 六元杂环分子 伏安特性 电子输运 分子电子学     

Asymmetric Cyclopropanation Catalyzed by Four Stereoisomers of a Copper-(Schiff-base) Complex with Double Chiral Centers

Catalytic asymmetric cyclopropanation of diazoacetates with olefins has attracted much attention. Those catalysts containing various metals and optically active ligands have been employed for this reaction1,2. The first catalytic asymmetric cyclopropanation reaction was reported in 1966 by Nozaki et al.3. The author used the copper(II) complex 1 bearing a salicyladimine ligand as catalyst though with a low e.e. value of 6%. Aratani and his coworkers designed the copper-(Schiff-base) comp…     

LIMIT CYCLES AND BIFURCATION CURVES FOR THE QUADRATIC DIFFERENTIAL SYSTEM(III)_(m=0)HAVING THREE ANTI-SADDLES(II)

ＬＩＭＩＴＣＹＣＬＥＳＡＮＤＢＩＦＵＲＣＡＴＩＯＮＣＵＲＶＥＳＦＯＲＴＨＥＱＵＡＤＲＡＴＩＣＤＩＦＦＥＲＥＮＴＩＡＬＳＹＳＴＥＭ（ＩＩ）ｍ＝０ＨＡＶＩＮＧＴＨＲＥＥＡＮＴＩＳＡＤＤＬＥＳ（Ｉ）ＹＥＹＡＮＱＩＡＮＡｂｓｔｒａｃｔＡｓａｃｏｎｔｉ...     

AlGaN/GaN HEMTs with an Insulated Gate Fabricated by Inductively Coupled Plasma Oxidization

Novel AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） with an insulated gate have been demonstrated by oxidizing the surface of an AlGaN layer using inductively coupled O2 plasma. X-ray photoelectron spectroscopy measurement reveals that O2 plasma treatment can produce a thin oxidized layer on the AlGaN surface. The insulated-gate devices are realized by plasma oxidization before gate metallization. The reverse gate leakage current of the fabricated HEMT has been reduced in two orders of magnitude, and the cut-off frequency increases from 5.4 GHz to 6.5 GHz.