HT-7超导托卡马克调制电流改善等离子体约束

 在HT-7超导托卡马克上进行了电流调制改善等离子体约束物理实验，获得了初步的实验结果。对电流调制时的径向电场进行了数值计算和讨论。当等离子体环向电流以适当的频率和幅值周期性调制时，低模数的磁流体不稳定性得到明显的抑制，等离子体中心电子温度增加了33%，等离子体电子密度分布明显陡化，能量约束时间增加了27%~45%。杂质辐射周期性减少,粒子约束时间增加了2倍。在等离子体边界产生更强的径向负电场。     

关于丢番图方程axm±1/ax±1=yn与axm±1/ax±1=yn+1

本文证明了方程(1.4)没有x是一个n次完全幂的整数解(a,x,y,m,n),从而推广了乐茂华的结论:方程(1.1)没有x是一个n次完全幂的整数解(x,y,m,n),并有条件的得到了方程(1.5)的全部解.     

超强酸复合树脂DSFB的连续加热脱附特征及其经验方程

本文主要了由磺酸树脂与一咱ＢｒΦｎｓｔｅｄ酸（ＨＢＦ４）形成的超强酸复合树脂ＤＳＦＢ的连续加热附特征。ＤＳＦＢ树脂在同一温度下连续加热脱时，水速远远大于脱酸速率，可以制备出无水的含酸量较高的稳定复合树脂。脱水百分Φｄｗ，脱酸百分数Φｄα与加热热时间ｔ的关系满足于以下方程：在不同温度下连续加热相同时间的脱附结果表明，在８０－９０℃存在一脱酸突贵州，厅能是与复合物解离有关。     

五次完全幂的少位数三进制展开*

本文讨论了Michael Bennett [Bennett M, Bugeaud Y, Mignotte M. Perfect powers with few binary digits and related Diophantine problem [J]. Ann Sc Norm Super Pisa Cl Sci, 2013,XII:941–953.]中提出的一类丢番图方程, 即五次完全幂的少位数三进制展开. 作者证明了丢番图方程 3^a + 3^b + 2 = n⁵, a > b > 0 有唯一的正整数解$(a,b,n)=(3,1,2).     

Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance

We present a detailed study of a superjunction(SJ) nanoscale partially narrow mesa(PNM) insulated gate bipolar transistor(IGBT) structure. This structure is created by combining the nanoscale PNM structure and the SJ structure together. It demonstrates an ultra-low saturation voltage(V_(ce(sat))) and low turn-off loss(E_(off)) while maintaining other device parameters. Compared with the conventional 1.2 k V trench IGBT, our simulation result shows that the V_(ce(sat))of this structure decreases to 0.94 V, which is close to the theoretical limit of 1.2 k V IGBT. Meanwhile, the fall time decreases from109.7 ns to 12 ns and the E off is down to only 37% of that of the conventional structure. The superior tradeoff characteristic between V_(ce(sat))and E_(off) is presented owing to the nanometer level mesa width and SJ structure. Moreover, the short circuit degeneration phenomenon in the very narrow mesa structure due to the collector-induced barriers lowering(CIBL) effect is not observed in this structure. Thus, enough short circuit ability can be achieved by using wide, floating P-well technique.Based on these structure advantages, the SJ-PNM-IGBT with nanoscale mesa width indicates a potentially superior overall performance towards the IGBT parameter limit.     

方程在开区间内至少有两根的证明方法

讨论方程(函数)在开区间内至少有两个根(零点)的两种常用证明方法,介绍此类问题的解题思路和解题步骤.     

Nafion树脂超强酸催化剂在有机合成中的应用

本文综述了Nafion树脂作为固体超强酸催化剂在有机合成中的应用,包括烷基化、酰基化、异构化、歧化、齐聚(聚合)、水合、脱水、重排、缩合等反应。     

提高学生解题能力与运算能力的一些做法

最近我校担任高三数學的教师全面地检查了同学們对基本概念和基本运算掌握的情况,通过測驗发現有些学生对概念很模糊,对运算也很不熟练。 (1)概念模糊的例子: ① ((ag8)~2)~(1/2)=a-8; ②如果a~n=b~n,则必有a=b; ③ lgx~2=lgx~2; ④ i 3~(1/2)的共軛复数为i-3~(1/2); ⑤ lg(A B)=lgA lgB; ⑥如果有3x-1/2x-2>1,則有3x-1>2x-2成立; ⑦不等式組的解为:1相似文献   

Ruddlesden-Popper型准二维钙钛矿温度依赖发光光谱研究

准二维Ruddlesden-Popper(R-P)卤化物钙钛矿具有优越的光电特性,在太阳能电池、发光二极管、激光器等光电器件中受到广泛关注,但严重影响载流子的弛豫和传输特性的激子-声子之间的相互作用还未得到充分揭示。与广泛研究的三维钙钛矿结构相比,准二维钙钛矿存在天然形成的量子阱结构,具有更大的激子结合能,激子效应更加明显,但对其激子-声子相互作用的研究仍然较少。因此,我们通过溶液法制备了准二维R-P型钙钛矿(PEA)₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1薄膜,其增益系数高达～1 090.62 cm^-1,获得了低阈值(～12.48μJ/cm²)的放大自发辐射。基于此,我们通过变温荧光光谱(77～300 K)和瞬态吸收光谱技术研究了(PEA)₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1薄膜随温度变化的发光特性,以阐述其内部的激子-声子相互作用对其发光性能的影响。发现在低温域内(77～120 K...     

用一个公式来复习立体几何中的体积公式

在复习立体几何的时候,利用公式V=h/6(B_1++4B_2+B_3)(式中B_1表下底的面积;B_2表中截面的面积,即通过高的中点作截面截几何体所得的截面;h表立体的高;B_3表上底的面积)把多面体中的棱柱、棱錐、棱台体积公式和旋轉体中的圓柱、圓錐、圓台以及球体积公式概括起来,对同学掌握知識有很大的帮助,一方面能以动的观点培养同学的辯証唯物主义观点,邏輯推理、綜合、分析和概括問題的能力;另一方面加深同学对公式的理解等。