周边硅笼取代的混杂酞菁卟啉三层铽单分子磁体

通过在铽的酞菁卟啉混杂三层的卟啉周边共价连接体积庞大的笼型倍半硅氧烷(POSS), 得到了首个包含POSS的混杂三层Tb₂(Pc)[T(OPOSS)₄PP]₂ (1)[H₂Pc=phthalocyanine;H₂T(OPOSS)₄PP=5, 10, 15, 20-tetra{[[N-[heptakis(isobutyl)propoxy]phenyl]octasiloxane]}porphyrin]。为了对比研究, 同时合成了类似的三层化合物Tb₂(Pc)(TPP)₂(2)(H₂TPP=5,10,15,20-tetraphenyporphyrin)。尤其值得注意的是, 在没有外加磁场的条件下, Tb₂(Pc)[T(OPOSS)₄PP]₂(1)和Tb₂(Pc)(TPP)₂(2)分别表现出单分子磁体和非单分子磁体的性质, 这充分说明了共价连接均匀分布的POSS基团有效地分离了磁性核心, 从而改善了酞菁卟啉混杂三层的磁性。     

Sign reversal of anisotropic magnetoresistance and anomalous thickness-dependent resistivity in Sr2CrWO6/SrTiO3 films

High-quality Sr₂CrWO₆ (SCWO) films have been grown on SrTiO₃ (STO) substrate by pulsed laser deposition under low oxygen pressure. With decrease of the film thickness, a drastic conductivity increase is observed. The Hall measurements show that the thicker the film, the lower the carrier density. An extrinsic mechanism of charge doping due to the dominance of oxygen vacancies at SCWO/STO interfaces is proposed. The distribution and gradient of carrier concentration in SCWO films are considered to be related to this phenomenon. Resistivity behavior observed in these films is found to follow the variable range hopping model. It is revealed that with increase of the film thickness, the extent of disorder in the lattice increases, which gives a clear evidence of disorder-induced localization charge carriers in these films. Magnetoresistance measurements show that there is a negative magnetoresistance in SCWO films, which is considered to be caused by the magnetic scattering of magnetic elements Cr³⁺ and W⁵⁺. In addition, a sign reversal of anisotropic magnetoresistance (AMR) in SCWO film is observed for the first time, when the temperature varies across a characteristic value, T_M. Magnetization—temperature measurements demonstrate that this AMR sign reversal is caused by the direction transition of easy axis of magnetization from the in-plane ferromagnetic order at T > T_M to the out-of-plane at T < T_M.     

等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度,研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点PL光谱的增强效应.采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜,形成纳米金岛膜结构.实验发现,金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加,最大PL强度增加了约5倍,其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点PL光谱的收集效率.     

CnAl2 (n=1-10)团簇的结构特征与稳定性

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 在6-311G*水平上对CnAl2 (n=1-10)团簇的几何构型和电子结构进行了结构优化和振动频率计算. 结果表明, 富铝的CAl2团簇基态结构为折线型面状结构, 多碳和双聚体的CnAl2团簇基态结构均为Al原子端基配位的线状结构. 通过对基态结构的能量分析, 得到了n为偶数的CnAl2团簇比n为奇数稳定的结论.     

热原子层沉积氧化铝对硅的钝化性能及热稳定性

原子层沉积氧化铝已经成为应用于钝化发射极和背面点接触（PERC）型晶硅太阳能电池优异的钝化材料．对于基于丝网印刷技术的太阳能电池,钝化材料的钝化效果及其热稳定性是非常重要的．本文在太阳能级硅片上用热原子层沉积设备制备了20nm和30nm的氧化铝,少子寿命测试结果显示初始沉积的氧化铝薄膜具有一定的钝化效果,在退火后可达到100μs以上,相当于硅表面复合速度小于100cm／s．经过制备传统晶硅太阳能电池的烧结炉后,少子寿命能够保持在烧结前的一半以上,可应用于工业PERC型电池的制备．通过电子显微镜观察到了较厚的氧化铝薄膜有气泡,解释了30nm氧化铝比20nm氧化铝钝化性能和稳定性更差的异常表现．     

苯并15冠5钯配合物：［K(B15C5)2］2［Pd(SCN)4］的合成与结构研究

合成了苯并15冠5与钯生成 的配合物：[K(B15C5)2]2[Pd(SCN)4],并通过元素分析,红外光谱及X射线单晶结构分析进行了表征,配合物为单斜晶系,空间群p21/n,晶体学数据：a=1.20430(7),b=1.93299(10),c=1.56680(9)nm,β=108.1190*10),V=3.4665(3)nm3,Z=2,F(000)=1424,R1=0.05000,wR2=0.1549.配合物由两个[K(B15C5)]2^ 配阳离子和一个[Pd(SCN)4]^2-配阴离子组成,四个硫氰酸根的硫原子与钯原子配位,[Pd(SCN)2]^2-为平面方形构型,K＋与2个冠醚环的10个氧原子成键而形成夹心型结构,两个苯并15冠5的苯环相对钾原子呈反式排列。     

苯并15冠5钯配合物:[K(B15C5)_2]_2[Pd(SCN)_4]的合成与结构研究

合成了苯并 15冠 5与钯生成的配合物 :[K( B15C5) 2 ]2 [Pd( SCN) 4],并通过元素分析、红外光谱及 X射线单晶结构分析进行了表征。配合物为单斜晶系、空间群 P2 1/ n。晶体学数据 :a=1.2 0 4 30 ( 7) ,b=1.932 99( 10 ) ,c=1.56680 ( 9) nm,β=10 8.1190 ( 10 )°,V=3.4 665( 3) nm3,Z=2 ,F( 0 0 0 ) =142 4 ,R1=0 .0 50 0 ,w R2 =0 .1549。配合物由两个 [K( B15C5) ]+2 配阳离子和一个 [Pd( SCN) 4]2 -配阴离子组成。四个硫氰酸根的硫原子与钯原子配位 ,[Pd( SCN) 4]2 -为平面方形构型。 K+与 2个冠醚环的 10个氧原子成键而形成夹心型结构。两个苯并 15冠 5的苯环相对钾原子呈反式排列     

二维网状冠醚配合物－苯并15－冠－5、二苯并18－冠－6与Na_2[Pt(SCN)_6]配合物的合成与结构

合成了苯并15-冠-5、二苯并18-冠-6与Na_2[Pt(SCN)_6]的配合物：[Na(B15- C-5)]_2[Pt(SCN)_6] (1),[Na(DB18-C-6)]_2[Pt(SCN)_6] (2),并通过元素分析 、红外光谱、单晶X射线衍射进行了表征。1为单斜晶系,空间群P2_1/c,a = 1. 0974(5) nm,b = 1.5187(7) nm,c = 1.3632(6) nm,β = 96.407(7)°,V = 2. 2568(18) nm~3,Z = 2,D_(calcd) = 1.746 g/cm~3,F(000) = 1184,R_1 = 0. 0357,wR_2 = 0.0868。 2为三斜晶系,空间群 P1-bar,a = 1.2500(3) nm,b = 1.2825(3) nm,c = 1.9342(4) nm,α = 106.82(3)°,β = 102.51(3)°,γ = 103.04(3)°,V = 2.7562 nm~3,Z = 2,D_(calcd) = 1.579 g/cm~3,F(000) = 1316,R_1 = 0.0364,wR_2 = 0.0771。配合物分别由两个[Na(B15-C-5)]~+, [Na(DB18-C-6)]~+配阳离子和一个[Pt(SCN)_6]~(2-)配阴离子组成。配阳离子和配 阴离子通过Na-N键形成二维网状结构。     

衬底表面覆盖对薄膜成核和生长的影响

在薄膜生长的成核阶段,稳定聚集体将逐渐覆盖衬底表面．同时,薄膜的生长将发生在被覆盖的衬底部分,而成核则发生在未被覆盖的部分．本文研究了衬底表面被覆盖的程度对薄膜成核和生长的影响,对广泛应用的薄膜理论,给出一些修正公式．结果表明,成核速率正比于衬底表面未被覆盖面积的平方．而薄膜理论认为成核速率是时间常量,似显得粗糙． 关键词：     

AlmN和AlmN+(m=2～9)团簇结构与稳定性的量子化学研究

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311G^*水平上对Al_mN和Al_mN⁺(m=2～9)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了理论研究,给出了以Al_m团簇作为设计Al_mN类结构的母体,考虑在不同位置上结合N原子的结构,可以较快找到Al_mN类团簇基态结构的一种方法.通过对基态结构的离解能和能量二次差分讨论,得到m为奇数的Al_mN团簇比m为偶数的稳定.对基态结构的绝热电离能讨论结果表明,只存在Al-N键的Al2N和Al3N团簇较稳定.